国家/地区 韩国（214） 美国（110） 日本（104） 世界知识产权组织（95） 中国（78） 欧洲专利局（EPO）（39） 台湾（21） 加拿大（10） 印度（7） 澳大利亚（3） 西班牙（3） 香港（3） 俄罗斯（3） 新加坡（3） 德国（2） 墨西哥（2）
IPC部 C（348）
IPC大类 C01（348） H01（139） B82（108）
B01（78） C23（39） B32（27）
C08（24） C09（16） C25（14）
C07（12） H05（12） C30（11）
B05（9） B41（9） G01（9）
IPC小类 C01B（348）
IPC C01B031/02（348）
发明人 WANG Y（12） ZHOU M（12） KIM T（11）
MOON J（10） YOON J H（10） BYUNG Y S（9）
JUNG M（9） NAG E C（9） CHOI J（8）
CHOI M（7） LEE H（7） LEE J（7）
LEE S H（7） LIU D（7） NA D H（7）
公开年 2014（348）
申请年 2013（186）  2012（103）  2014（58） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（17） UNIV SUNGKYU.（16） SAMSUNG TECH.（14） LG ELECTRONI.（12）
OCEANS KING .（12） SHENZHEN OCE.（12） SNU R DB FO.（12） HANWHA TECHW.（11）
SHENZHEN OCE.（11） DOKURITSU GY.（10） KOREA ADVANC.（9） KOREA INST S.（9）
TOSHIBA SAMS.（9） UNIST ACADIN.（8） INHA IND PAR.（7） NAT INST ADV.（7）
HANWHA AEROS.（6） JX NIPPON MI.（6） POSCO（6） TOSHIBA KK（6）

Manufacture of graphene for electric component, involves forming metal catalytic layer on substrate, introducing cover material on catalytic layer, and growing graphene on catalytic layer by carrying out chemical vapor deposition.

CHO K, BONG H, CHO K W

Separating graphene used for e.g. semiconductor device, comprises providing container including graphite particle, graphene and solvent, separating graphite particles from container using magnetic field, and discharging solvent from outlet.

KITAURA H, NISHIKI N, NISHIKAWA K, NAKAYA K, TANAKA A, NAKATANI K, NISHIGI N, TANAGA A

Decomposing organic contaminants e.g. methyl red in wastewater, by mixing self-assembled graphene oxide suspension having negative charge and iron-amino clay suspension having positive charge and then decomposing by iron-hydrogen peroxide.

LEE Y C, JEON T J, HUH Y S

Combustion synthesis of reduced carbon materials such as graphene, involves initiating an exothermic self-sustained reaction between a refractory ceramic compound and a halogen-containing carbon substrate under oxygen-free inert atmosphere.

MUKASYAN A, MANUKYAN K

Substrate for electronic apparatus e.g. electronic device comprises nitride semiconductor layer which is provided on upper surface of silicon substrate, silicon carbide layer, and graphene layer.

SAI J, FUKIDOME H, SUEMITSU M, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, planarizing upper surface of silicon carbide layer, and forming graphene layer in upper surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Production of graphene hollow structure body for graphene spherical hollow body integrated electrode and graphene spherical hollow body integrated capacitor involves mixing and dispersing polymer molding and graphene oxide powder.

SHAO Q G, QIN L C, TANG J

Graphene powder used as conductive support agent of lithium-ion battery electrode, is formed by adhering dispersing agent having quinophthalone skeleton and polar group to graphene surface.

SHIGETA K, KUBOTA Y

Structure, useful for forming graphene layer useful in e.g. high-speed semiconductor, comprises highly oriented pyrolytic graphite with an exposed surface, metal layer, coating layer, and support attached to surface of metal layer.

LEE Y S, KIM J H