国家/地区 美国（50） 韩国（46） 世界知识产权组织（36） 中国（35） 日本（26） 欧洲专利局（EPO）（12） 台湾（8） 加拿大（2） 西班牙（2） 英国（2）
IPC部 C（98）
IPC大类 C01（98）
IPC小类 C01B（98）
IPC C01B031/02（71） C23C016/26（62） C01B031/04（46）
B82Y040/00（33） B82Y030/00（32） H01B001/04（11）
C23C016/06（9） C23C016/44（9） B32B009/04（8）
B82B003/00（8） C23C016/02（8） B01J023/755（6）
B32B009/00（6） B82Y099/00（6） C01B032/186（6）
发明人 CHOI J（5） HONG B H（5） DING G（4）
XIE X（4） CHOI J Y（3） DENG P（3）
GUO H（3） JIANG M（3） JUNG M（3）
KIM H（3） KIM K H（3） LEE J（3）
LEI T（3） SEO B（3） SHIN H J（3）
公开年 2013（54） 2012（30） 2014（13）
申请年 2012（98）
专利权人 SAMSUNG TECH.（8） HANWHA TECHW.（7） SAMSUNG ELEC.（6） HANWHA AEROS.（5）
UNIV SUNGKYU.（5） CHINESE ACAD.（4） DOKURITSU GY.（4） KOREA ADVANC.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） GRAPHENE SQU.（3） LG ELECTRONI.（3） SHANGHAI INS.（3）
SRC CORP（3） ULVAC INC（3） UNIV XIDIAN（3） CHOI J（2）
DENG P（2） FUJITSU LTD（2） GUO H（2） HON HAI PREC.（2）

Synthesizing tin oxide-graphene nanocomposites used as sensor materials, comprises dissolving tin dichloride powder in graphene oxide solution, adding sodium hydroxide or potassium hydroxide dropwise into solution, and heating mixture.

MING H N, NGEE L H

Graphene oxide useful in graphene-polymer composite used in coating liquid, for coating steel sheet.

YOO H, KIM J, JUNG Y, YOO H J, KIM J K, JUNG Y G, KIM J S, LIU H

Manufacturing graphene coated steel plate, comprises generating plasma gas, passing gas through water or organic compound to generate functional group, binding functional group on surface of material, and coating graphene on surface.

YOO H J, KIM J K, LEE S K, JUNG Y G, KIM J S

Forming three dimensional structures based on graphene having sp1-linear carbon chain, by condensing carbon on graphene or its surface by evaporating graphite in vacuum, and forming hexagonal close-packed structure of chain with graphene.

GLUKHOV D E

Manufacturing metal doped zinc oxide-graphene oxide composite film comprises producing graphene oxide by stirring graphite powder and acid solution, injecting hydrogen peroxide, mixing with zinc- and metal salt solution, and depositing.

KIM J Y, KWON B J, KIM U S, CHO W S

Method of growing graphene for electronic device involves forming metal film on single crystal silicon, reacting single crystal silicon and part of metal film, and epitaxially growing metal silicide film on single crystal silicon.

HAYASHI K

Manufacturing graphene involves preparing a carrier member on which the graphene is formed on one surface, exposing the graphene to dopant vapor, transferring the doped graphene onto a target member, and removing the carrier member.

YOON J, YOON J H

Apparatus for manufacturing graphene film used for e.g. transparent electrode, has system for supplying film-forming material gas containing carbon, stage and counter electrodes, and device for applying direct current pulse voltage.

TSUKAHARA N

Producing graphene film using fullerene derivative used in e.g. organic light-emitting diode comprises forming carbonized catalyst layer on substrate, laminating fullerene derivative solution on catalyst layer and performing heat treatment.

KIM C S, KANG J W, SEO J H

Graphene roll film has graphene film having wrinkle portion having specified width and central line average roughness, provided in base material.

YAMADA T, HASEGAWA M, TSUKAHARA N, SHIMADA N, YAZAWA K, KIM J H