国家/地区 中国（832） 韩国（748） 美国（153） 世界知识产权组织（109） 日本（74） 欧洲专利局（EPO）（57） 台湾（26） 印度（17） 加拿大（13） 澳大利亚（10） 波兰（8） 英国（7） 俄罗斯（6） 新加坡（6） 德国（5） 西班牙（5） 香港（4） 印度尼西亚（4） 法国（3） 越南（3）
IPC部 C（1701）
IPC大类 C01（1100） C08（261） H01（183）
C09（170） B01（153） B82（110）
C02（86） C23（79） C22（43）
C07（42） C25（42） C04（34）
B22（31） G01（29） B29（27）
IPC小类 C01B（1090） C08K（226） C08L（185）
B01J（123） B82Y（104） C09D（93）
C02F（86） H01L（85） C23C（75）
C09K（66） C08J（64） C08G（61）
H01M（48） C22C（42） H01G（35）
IPC C01B031/04（1024） C08K003/04（214） C01B032/184（80）
C01B031/02（74） B82Y040/00（67） C09D007/12（66）
B82Y030/00（65） C08K009/04（58） C02F001/28（45）
C01B032/182（43） C01B032/19（42） C08K003/22（42）
C23C016/26（41） B01J020/30（37） C08K013/06（37）
发明人 LEE Y T（584） LI J（38） ZHANG J（36）
WANG Y（33） ZHANG X（31） WANG X（30）
LI X（29） ZHANG Y（29） LIU Y（27）
CHEN Q（26） LI Y（26） CHEN Y（25）
WANG S（25） WANG L（23） ZHANG Z（23）
公开年 2016（1701）
申请年 2015（1701）
专利权人 LEE Y T（584） CHENGDU NEW .（22） AVIC BEIJING.（19） UNIV JINAN（16）
UNIV SOUTH C.（16） UNIV JIANGSU（15） UNIV FUDAN（14） NINGBO INST .（12）
UNIV SOUTHEA.（12） LG CHEM LTD（11） TOSHIBA KK（11） UNIV CHANGZH.（11）
UNIV ZHEJIAN.（11） CHEN R（10） CHINESE ACAD.（10） HARBIN INST .（10）
LIU Y（9） UNIV SEOUL N.（9） UNIV SUNGKYU.（9） UNIV TIANJIN（9）

Manufacture of ultra-thin cobalt oxide nanotube-intercalated graphene composite used as electrode for supercapacitor, involves mixing oxidized graphene dispersion and cobalt precursor solution, adding ammonia solution, and heating slurry.

SHIM J J, VAN HOA N

Insulating composition used in production of composite material, comprises graphene nanosheet and layered composite metal hydroxide.

CHEN D, CHEN Y, HAN S, LI X, QIAN X, SHEN H, WANG H, XU Z, XUE Y, ZHANG D

Producing surface-modified graphene quantum dots useful as surfactant, comprises e.g. preparing mixture by dissolving e.g. 4-dimethylaminopyridine, graphene quantum dot in solvent, adding N,N'-dicyclohexylcarbodiimide, heating and cooling.

CHO H H, KIM B

N-doping of graphene for N-doped graphene oxide/graphene bilayered structure, involves forming graphene oxide by oxygen-plasma treatment of graphene, transferring graphene oxide to another graphene and doping with functional group.

CHO H J, SEO Y M, WHANG D

Manufacture of porous graphene filter used in filter apparatus, involves providing filters having pores formed by substituting portion of carbon atom by atom produced from source containing pyridine, within filter mainframe.

KWON G, KIM H

Manufacture of graphene layer laminated-diamond substrate used for semiconductor devices, involves contacting diamond substrate with metal material made of nickel, iron, cobalt, copper and chromium, heating and cooling diamond substrate.

TSUBOTA T, NAKAO M

Production of graphene used in manufacture of semiconductor devices, involves providing substrate of silicon carbide, applying polymer layer and/or sorbate onto substrate, and applying polymer layer and/or sorbate onto heated substrate.

KRUSKOPF M, PIERZ, PIERZ K

Production of white graphene nanoparticles involves preparing boron precursor by subjecting boron feedstock to atomization treatment to produce trichloroborane borane and milling mixed compound to obtain precursor powder.

SUN Z

Active sensor element comprises e.g. a transistor placed on a first substrate and having a graphene channel layer and source and drain electrodes formed on both sides of graphene channel layer, and a second substrate formed on transistor.

PARK W, CHUN S

Graphene-silicon composite used in electrical device e.g. secondary battery and capacitor, comprises graphene sheet comprising single or several graphene layers, and silicon-containing layer formed on graphene layers.

KIM D, LEE H