国家/地区 中国（42） 美国（41） 韩国（38） 世界知识产权组织（23） 日本（12） 欧洲专利局（EPO）（10） 台湾（5） 新加坡（3） 巴西（2） 英国（2）
IPC部 C（83）
IPC大类 C23（83） H01（80） C01（34）
B82（15） C09（6） H05（6）
B01（5） B32（5） C22（5）
C30（4） B22（3） B05（2）
B29（2） C03（2） C08（2）
IPC小类 C23C（83） H01L（44） C01B（34）
H01M（19） B82Y（15） H01B（9）
H01J（7） H01G（6） B01J（5）
B32B（5） C22C（5） H05H（5）
C23F（4） C30B（4） H01H（4）
IPC C23C016/44（83）
发明人 IFUKU R（4） LIM J（4） LIN J（4）
MATSUMOTO T（4） WADA M（4） CAO H（3）
FENG J（3） GUO J（3） HWANG J H（3）
JEON M H（3） LI J（3） MA Y（3）
OZYILMAZ B（3） PARK J G（3） QI J（3）
公开年 2022（13） 2014（10） 2017（10） 2021（10） 2015（9） 2023（6） 2011（5） 2012（5） 2013（5） 2016（5） 2020（3） 2018（2）
申请年 2021（13）  2016（12）  2014（9）  2013（8）  2022（8）  2020（7）  2010（6）  2015（6）  2012（4）  2019（4）  2011（3）  2017（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4） TOKYO ELECTR.（4） UNIV SINGAPO.（4） DAEJOO ELECT.（3）
HARBIN INST .（3） UNIV INJE IN.（3） ZHEJIANG CHI.（3） HAIRUI HIGHT.（2）
KOREA ADVANC.（2） SHANGHAI XIN.（2） SK INNOVATIO.（2） SK ON CO LTD（2）

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Anode active material comprises carbon material, and silicon structure attached to carbon material, where silicon structure includes silicon nanoparticle, metal thin film formed on surface of silicon nanoparticle, and graphene coated on surface of metal thin film.

KIM Y H, SON M W, KIM Y, SUN M

Cathode active materials useful for secondary batteries, comprises carbon-based base material, silicon layer formed on carbon-based base material, and graphene provided on outside of silicon layer.

CHAE S

Graphene-coated electrode material preparation system comprises inner part of outer wall of bottom beam provided with reciprocating component, inner part of top plate and bottom plate of reciprocating component provided with vibration component, and box body respectively provided with heating plate.

WANG Y

Film forming method involves loading substrate into processing container, forming interface layer having amorphous structure or microcrystalline structure on substrate by plasma of first mixed gas including carbon-containing gas and forming graphene film on interface layer.

NAKAMURA G, TERADA H, MATSUMOTO T, KABUKI N, WADA M, IFUKU R, NAKAMURA K, KAMURAGI N

Preparing copper rare earth graphene electrical contact material comprises e.g. mixing copper rare earth alloy powder and silicon powder to obtain mixed powder, carrying out chemical vapor deposition, separating silicon powder in mixed powder, sintering, extruding and drawing preform.

CAO H, MA Y

Titanium carbide-yttrium oxide composite reinforced graphene-coated copper-based contact material comprises titanium carbide, yttrium oxide, tungsten, chromium, molybdenum, and graphene-coated copper.

LIU J, ZHANG Y, CHEN H, YU X, TAO Y, WANG J

Performing graphene copper composite material useful in transmission cable comprises performing chemical vapor deposition on copper powder under methane and reducing atmosphere to form graphene on surface of the copper powder hot-pressing and sintering first powder.

CHEN S, LIU J, CHI C, GAO J, PANG Z, ZHANG Q, CHEN B, HAN Y, ZHU Z, DING Y

Low-expansion silicon-carbon cathode material useful for lithium-ion batteries, comprises core-shell structure composed of silicon-oxygen inner core, porous carbon material and phosphorus-doped graphene.

SUN J, GAO G, HE X

Apparatus for depositing two-dimensional material, comprises planar high-frequency antenna formed on second surface of dielectric window, and first gas nozzle configured to provide source gas into chamber.

SHIN H, SHIN K, LEE C, LEE C S, SHIN K W, SHIN H J