国家/地区 欧洲专利局（EPO）（101）
IPC部 B（101）
IPC大类 B32（101）
IPC小类 B32B（101）
IPC C01B031/04（65） C01B031/02（58） B32B009/00（52）
B82Y030/00（49） B82Y040/00（44） C01B032/194（22）
C23C016/26（22） B32B009/04（21） C01B032/184（17）
H01L021/02（17） B32B038/10（15） C01B032/182（15）
H01B001/04（15） C01B032/186（14） B32B037/00（13）
发明人 CHOI J（7） CHOI J Y（6） SHIN H（4）
SHIN H J（4） YOON S（4） YOON S M（4）
AKSAY I（3） AKSAY I A（3） CHIBA G（3）
CHIBA Y（3） JOHNSON B Y（3） KIMURA N（3）
MAZUMDER P（3） SHIMIZU K（3） YOSHIHIRO C（3）
公开年 2012（16） 2011（13） 2015（11） 2016（10） 2017（10） 2010（9） 2014（8） 2009（6） 2013（6） 2021（4） 2018（2） 2022（2）
申请年 2011（13）  2012（13）  2015（12）  2009（10）  2013（10）  2014（9）  2010（7）  2016（7）  2008（6）  2017（4）  2020（3）  2021（3）  2002（2）  2007（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） SONY CORP（4） AKSAY I A（3） CENT NAT REC.（3）
COMMISSARIAT.（3） CORNING INC（3） JX NIPPON MI.（3） NIPPON MININ.（3）
NIPPON MININ.（3） UNIV PRINCET.（3） UNIV SUNGKYU.（3） BASF SE（2）
BATTELLE MEM.（2） COMMISSARIAT.（2） GRAPHENEA SA（2） GSI CREOS CO.（2）
GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND.（2） HEIQ MATERIA.（2） IMEC VZW（2）

Producing oxygen barrier material for packaging material involves providing and forwarding substrate material web, providing aqueous composition comprising graphene oxide comprising monolayer flakes of graphene oxide, and coating aqueous composition of graphene oxide onto substrate material web.

BERLIN M, WAHLBERG J, GUIDETTI G

Preparing aqueous composition of reduced graphene oxide used for producing gas-barrier coated material, by providing aqueous dispersion comprising graphene oxide, providing aqueous dispersion of nanocellulose compound, providing aqueous solution of reducing agent, and mixing aqueous dispersions.

WAHLBERG J, OESTLUND M

Carrier substrate for transferring transfer layer from carrier substrate to product substrate, comprises carrier base substrate, protective layer, and transfer layer grown on protective layer.

BURGGRAF J, JUERGEN B

Pellicle film used for preventing dust from adhering to photomask or reticle, comprises layers laminated to each other and/or layers provided with one or more openings.

TAKADA N, SEKI K, KODERA Y, SEKIGAZUNORI, YUTAKA G

Formation of porous graphene layer used as semipermeable membrane, involves providing catalytically active substrate comprising copper-nickel alloy substrate, to catalyze graphene formation under chemical vapor deposition conditions.

CHOI K, PARK H G, HEIGHT M, CHOI K J, PARK H, PIAO H

Hybrid graphene material used for manufacturing filters of substances from any tobacco product, preferably cigarettes, industrial processes, internal combustion engines or chemical processes, comprises micronized graphite.

BENSE CANDELA T, BANCHERO ISASMENDI M M, UMPIERREZ VAZQUEZ E F, RUFENER C, VILLANUEVA J P, PARDO H, FACCIO R, MOMBRU A, BENSE C T, BANCHERO I M M, UMPIERREZ V E F, BENSE C T S, CANDELA T B, ISASMENDI M M B, VAZQUEZ E F U, UMPIERREZ VIZQUEZ E F, UFENER C, UMPIERREZ VAZQUEZ E, DRA. PARDO H, DR. FACCIO R, DR. MOMBRU A

Manufacturing multilayer graphene e.g. suspended or deposited multilayer graphene used for device e.g. sensor involves depositing graphene monolayer having protective layer on top on sample containing another graphene monolayer.

ZURUTUZA ELORZA A, CENTENO PEREZ A, PESQUERA RODRIGUES A, ZURUTUZA E A, CENTENO P A, PESQUERA R A

Release of graphene layer from template substrate, for e.g. circuits, involves soaking graphene layer and template substrate in water such that water is intercalated between substrate and layer, and subjecting to delamination process.

BREMS S, HUYGHEBAERT C, VERGUTS K, DE GENDT S

Method for transferring graphene from surface of substrate to other substrate, involves affixing growth substrate onto surface of transitory substrate, delaminating graphene layer from substrate, and transferring layer onto target surface.

LERNER M, PAN D, GOLDSMITH B, AFSAHI S J

Manufacture of porous graphene layer used for e.g. textile industries, involves carrying out chemical vapor deposition of carbon source on catalytically active substrate which catalyzes graphene formation, and forming graphene.

PARK H G, HEIGHT M, CHOI K, PARK H