国家/地区 日本（143）
IPC部 C（143）
IPC大类 C23（143）
IPC小类 C23C（137） C01B（111） H01L（87）
B82Y（53） H01B（38） B32B（26）
H01M（26） B05D（17） C30B（17）
B01J（13） C23F（13） C25D（12）
H01J（12） H05H（11） H05K（10）
IPC C23C016/26（84） C01B031/02（55） C01B031/04（47）
B82Y030/00（46） B82Y040/00（40） C01B032/186（39）
H01L021/02（30） H01L021/205（30） C01B032/182（29）
H01B013/00（22） C23C016/02（19） H01L029/16（19）
C01B032/194（17） C01B032/15（16） C01B032/18（16）
发明人 MATSUMOTO T（16） IFUKU R（14） WADA M（9）
FAN F Y（6） FAN S（6） SHIMIZU T（6）
HONG B H（5） KUBO T（5） TAKASHI M（5）
BAE S K（4） JIANG K（4） KABUKI N（4）
LIN X（4） RYOTA I（4） SUGIURA M（4）
公开年 2021（27） 2013（18） 2012（16） 2015（15） 2011（14） 2017（12） 2016（7） 2022（7） 2014（5） 2018（5） 2020（5） 2010（3） 2023（3） 2009（2） 2019（2）
申请年 2012（17）  2020（17）  2011（14）  2010（12）  2013（11）  2014（11）  2021（11）  2015（10）  2016（8）  2019（8）  2017（6）  2022（6）  2009（5）  2018（4） 
专利权人 TOKYO ELECTR.（17） NAT INST ADV.（7） YAZAKI CORP（7） HON HAI PREC.（6）
HONGFUJIN PR.（6） SAMSUNG ELEC.（6） UNIV TSINGHU.（6） FUJITSU LTD（5）
TOSHIBA KK（5） UNIV SUNGKYU.（5） GRAPHENE SQU.（4） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） PANASONIC CO.（4） BASF SE（3）
DOKURITSU GY.（3） MAX PLANCK G.（3） SEMICONDUCTO.（3） TE CONNECTIV.（3）

Film forming method involves loading substrate into processing container, forming interface layer having amorphous structure or microcrystalline structure on substrate by plasma of first mixed gas including carbon-containing gas and forming graphene film on interface layer.

NAKAMURA G, TERADA H, MATSUMOTO T, KABUKI N, WADA M, IFUKU R, NAKAMURA K, KAMURAGI N

Processing substrate involves carrying substrate having silicon-containing film on surface of substrate into processing container, forming adsorption layer, forming silicon oxide layer, and forming graphene film on silicon oxide layer by supplying carbon-containing gas into processing container.

FURUYA H, YAMADA H, IFUKU R, MATSUMOTO T, WADA M, HARUHIKO F A

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Substrate processing includes taking substrate into processing vessel, removing oxygen-containing layer on substrate using plasma of gas mixture including hydrogen-containing gas, and forming nucleation layer and graphene film on substrate using plasma of gas mixture including carbon-containing gas.

IFUKU R, MATSUMOTO T, WADA M, KABUKI N

Material for hole transport layer of light emitting device, has deposited film whose potential gradient of surface potential is in specific range.

WATABE T, SEO H, UEDA L, KAWANO Y, TOMOHIRO K A, KITANO Y, DOS T, OHSAWA N, SEO S, TOSU T, KUBODA T, UEDA A, KONO Y, KUBOTA T, TORISU T, OSAWA N

Processing substrate by loading substrate into processing container, forming carbon film on substrate with plasma of mixed gas containing carbon-containing gas while inside of processing container is maintained at pressure, and changing inside of processing container.

WADA M, IFUKU R, MATSUMOTO T, YAMADA H, TAKASHI M

Film formation method involves forming metal film on silicon-containing film of substrate, forming a graphene film on metal film, where metal film is silicided by heating metal film, and continuously performing film forming process.

UEDA H, WADA M, ZHEN

Forming film by carrying substrate having recess into processing container, placing on mounting table provided in processing container, using plasma of mixed gas containing inert gas and carbon-containing gas, while applying high frequency bias, and forming graphene film on substrate.

SUGIURA M, MATSUMOTO T

Substrate processing method for processing substrate, involves performing first plasma processing while holding carried-in substrate in first position, and performing second plasma processing in state where substrate support pin is lowered and substrate is held at second position.

WADA M, KABUKI N, IFUKU R, MATSUMOTO T

Structure useful in sliding member and connector, comprises structure in which nanocarbon material is arranged on surface of metal.

KAZUOMI S, KAZUHIRO T, YASUHIRO Y, MAYUMI K, RYOTA Y, SATO K, TOKUNAGA K, YUZUHARA Y, KOSAKA M, YUGE R