国家/地区 中国（200） 美国（27） 世界知识产权组织（25） 韩国（18） 欧洲专利局（EPO）（10） 印度（9） 日本（8） 台湾（5） 加拿大（3） 菲律宾（2）
IPC部 G（248） C（55） H（52）
B（16） A（8） F（3）
IPC大类 G02（248）
IPC小类 G02F（156） G02B（118） H01L（16）
C08K（15） C01B（13） C08L（13）
G01N（11） G09F（11） H01Q（11）
C09K（10） G02C（10） C09D（8）
H05K（8） C08J（7） B32B（6）
IPC G02F001/01（33） G02B005/00（25） G02B001/00（22）
G02F003/02（22） G02F001/13357（16） G02F001/1333（14）
C08K003/04（13） G02B006/12（13） G02F001/03（11）
G02B006/122（10） G02F001/035（10） G02B006/44（9）
G02F001/00（9） G02F001/1335（9） G02F001/155（9）
发明人 ZHANG Y（19） LI Y（11） LIU F（9）
ZHANG J（8） CHEN M（7） WANG J（7）
ZHANG P（7） LI J（6） XU J（6）
YUAN L（6） DENG J（5） WANG Z（5）
ZHANG D（5） ZHANG H（5） CHEN X（4）
公开年 2021（148） 2022（86） 2023（14）
申请年 2021（248）
专利权人 UNIV HUBEI S.（30） UNIV GUILIN .（7） HKC CO LTD（6） UNIV CHINA E.（6）
UNIV BEIJING.（4） ZHEJIANG JIN.（4） DONGGUAN GUA.（3） HKC CORP LTD（3）
KOREA ADVANC.（3） UNIV ABU DHA.（3） UNIV CHINA J.（3） UNIV SOUTH C.（3）
ANHUI FEIERM.（2） BOE TECHNOLO.（2） HARBIN INST .（2） JIANGSU JULO.（2）
PHILIPPINE S.（2） PSIQUANTUM C.（2） SHANGHAI TEC.（2） SHAOXING DIF.（2）

Visible to mid-infrared tunable ultra-narrow band absorber comprises silicon substrate, Bragg reflection layers, resonant cavity composed of first and second graphene layers capable of electrostatic grid control, hafnium oxide as dielectric interval layer, gold as lower and upper electrodes.

CHEN X, DENG J, ZHEN Y, ZHU T, BU Y, LI F, CHU Z, DAI X, YU Y, ZHOU J

Graphene-based nanoplasmonic waveguide for use in photodetector, has first electrode connected to graphene layer, and second electrode spaced apart from first electrode.

KWON M S, LEE J W

Method for fabricating two-dimensional channel transistor involves growing hexagonal-boron nitride layer on substrate, selectively etching hexagonal-boron nitride layer by exposing hexagonal-boron nitride layer to sulfur hexafluoride plasma gas, and treating etched layer in potassium hydroxide.

SHRIVASTAVA M, RAWAT J S, MEERSHA A

Logic gate device for optoelectronic system, has interface contact arranged to output sum current that comprises first and second current components, where sum current encodes logic output state of logic output of device.

BOOLAKEE T, HOMMELHOFF P, HEIDE C

Room temperature nickel telluride-graphene heterojunction terahertz detector comprises silicon dioxide layer provided with nickel telluride and graphene heterojunction, and two ends of heterojunction is source electrode and drain electrode.

CHEN X, JIANG M, YAO C, SHEN J, WANG L

Device for controlling reflection of incident electromagnetic radiation depending on wavelength by e.g. aircraft, has coating including active layer containing multitude of small-sized structures for producing interference of radiation.

LENCZOWSKI B, COMIN A

Composition useful for preparing light-shielding film of smartphone camera module as spacer, washer and coating solution comprises carbon-based particles, thermosetting binder resins, dispersants, polymer beads and solvents.

PARK S C, YUN J H, KIM Y S, KIM Y, PIAO S

Transmission structure used in screen of projection system, has second substrate whose thickness between second dielectric block and electromagnetic wave incident surface of second transmission unit is formed as non-zero thickness.

LAI Y, CHU H, XIONG X, PENG R, WANG M

Wax-based field effect transistor for electronic device, has wax substrate sheet, where wax substrate is gate dielectric, and metal gate disposed on wax sheet, active layer coated on surface of wax sheet, and source and drain electrodes disposed on active layer-coated second surface of wax sheet.

PARSHURAM S P, BOKKA N

Static electricity control device for transporting display panels comprises multiple conveying shafts on which rollers for conveying display panels are installed and energized bearing for rotatably supporting multiple conveying shafts.

KIM J H, LEE Y