国家/地区 台湾（64）
IPC部 H（64） C（36） B（13）
G（6） A（4） F（2）
IPC大类 H01（64）
IPC小类 H01L（35） C01B（19） H01M（15）
H01B（12） H05K（11） C08K（8）
C08L（8） C23C（7） B32B（6）
B82Y（6） C09D（6） C09J（6）
C09K（5） C08F（4） A61B（3）
IPC H01M004/62（9） C08K003/04（7） H01L021/02（7）
H01L023/373（7） H01L023/532（7） H01M004/38（7）
H05K007/20（7） H01B005/14（6） H01L021/768（6）
H01L029/16（6） H01L029/66（6） H01M004/36（6）
H01M010/052（6） H01M010/0525（6） C01B032/182（5）
发明人 HUANG C（4） HUANG H（4） HE M（3）
HYUN L J（3） ICHIKAWA I（3） IMSUNGWOO（3）
ISAO I（3） JEON Y M（3） JIN N（3）
LEE H S（3） LI J（3） LI X（3）
LIM J（3） LIM J C（3） LIM S W（3）
公开年 2022（64）
申请年 2021（64）
专利权人 IND TECHNOLO.（4） SAMSUNG ELEC.（4） CTRON ADVANC.（3） DAEJOO ELECT.（3）
LINTEC CORP（3） TAIWAN SEMIC.（3） APPLIED MATE.（2） HON HAI PREC.（2）
PARAGRAF LTD（2） SHINETSU CHE.（2） UNIV NAT TAI.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Method for manufacturing radiating block of circuit board, involves providing metal block, arranging graphene layer on outer surface of aluminum block and inner side wall of heat-conducting hole to obtain heat-radiating block.

CHEN Y

Over-current protection device comprises first electrode layer, second electrode layer and positive temperature coefficient material layer laminated between the first and second electrode layers.

CHU F H, CHANG Y T, DONG Z Y, CHANG Y H, YEN H C, ZHU F, DONG Z, ZHANG Y, YAN X

Fluoropolymer binder for lithium-ion battery, comprises mixture of phase of polytetrafluoroethylene formed of primary polytetrafluoroethylene particles and phase of polyvinylidene fluoride formed of primary polyvinylidene fluoride particles.

BONNET A, FINE T

Composite substrate for gallium nitride microwave power components, has silicon carbide layer formed on graphene layer, silicon substrate formed on carbide and insulating layers, and another silicon substrate arranged on insulating layer.

TSENG C, LI W

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing photoluminescence material involves placing plastic piece into working solution which is water, applying micro-plasma onto surface of the working solution, and degrading the plastic piece into multiple smaller molecular and graphene quantum dot.

CHIANG W, WENG R, WENG R J

Manufacturing method of power transistor, involves implanting boron ions on exposed indium gallium phosphide layer to form emitter.

TSENG H, CHEN M Y, CAI K, SUN Y, LI M

Electrostatic clamp e.g. gripper, for clamping object e.g. patterning device, during lithographic patterning, has electro-adhesive layer that is configured to electrically change adhesion to object to clamp and unclamp object.

MAKARENKO K S, VAN DE KERKHOF M A, DOLGOV A

Semiconductor device, comprises substrate and fin structure on substrate, and includes epitaxial region, etch stop layer on epitaxial region, interlayer dielectric layer on etch stop layer, and metal contact through etch stop layer and interlayer dielectric layer.

SHEN T, HUANG J, CHEN S, LIN H, LIN C, WOON W, KHADERBAD M A

Semiconductor device e.g. metal oxide semiconductor field effect transistor, comprises graphene film that covers top surface and sidewalls of epitaxial region and covers bottom surface and side walls of metal contact.

WOON W, KHADERBAD M A