国家/地区 中国（259） 美国（134） 韩国（126） 世界知识产权组织（91） 日本（65） 台湾（36） 欧洲专利局（EPO）（35） 印度（11） 加拿大（8） 德国（4） 墨西哥（4） 西班牙（3） 俄罗斯（3） 新加坡（3） 土耳其（3） 澳大利亚（2） 香港（2）
IPC部 C（482）
IPC大类 C01（482） B82（145） H01（138）
B01（58） C23（39） C08（25）
B32（21） C09（19） G01（16）
C25（14） C30（12） B05（11）
C07（11） H05（9） B41（8）
IPC小类 C01B（482）
IPC C01B031/04（332） C01B031/02（186） B82Y030/00（96）
B82Y040/00（71） B82B003/00（26） C23C016/26（21）
B82B001/00（19） C01B032/182（18） H01B013/00（17）
C01B031/00（16） H01L021/02（15） H01M004/36（15）
C08K003/04（14） H01B001/04（14） H01M004/133（14）
发明人 WANG Y（42） ZHOU M（21） LI X（17）
YUAN X（17） LIU Y（15） ZHANG H（14）
WANG L（13） SONG J（11） WANG J（11）
LI Y（10） LIU J（10） WU F（10）
ZHONG H（10） KIM T（9） ZHANG L（9）
公开年 2014（482）
申请年 2013（482）
专利权人 OCEANS KING .（21） SHENZHEN OCE.（21） SHENZHEN OCE.（21） SAMSUNG ELEC.（12）
UNIV SUNGKYU.（12） YANCHENG NAX.（11） SNU R DB FO.（9） LG ELECTRONI.（8）
SHANGHAI INS.（8） UNIST ACADIN.（8） TOSHIBA SAMS.（7） UNIV NANJING（7）
UNIV SOUTHEA.（7） SAMSUNG TECH.（6） TOSHIBA KK（6） YANCHENG ZEN.（6）
DOKURITSU GY.（5） EMPIRE TECHN.（5） HANWHA TECHW.（5） KOREA INST S.（5）

Reduced graphene oxide-silver phosphate used for photodegradation of organic textile dyes, comprises preset amount of reduced graphene oxide and silver phosphate.

DAS D P, SAMAL A, DAS J, DASH A

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Decomposing organic contaminants e.g. methyl red in wastewater, by mixing self-assembled graphene oxide suspension having negative charge and iron-amino clay suspension having positive charge and then decomposing by iron-hydrogen peroxide.

LEE Y C, JEON T J, HUH Y S

Substrate for electronic apparatus e.g. electronic device comprises nitride semiconductor layer which is provided on upper surface of silicon substrate, silicon carbide layer, and graphene layer.

SAI J, FUKIDOME H, SUEMITSU M, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, planarizing upper surface of silicon carbide layer, and forming graphene layer in upper surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Production of graphene hollow structure body for graphene spherical hollow body integrated electrode and graphene spherical hollow body integrated capacitor involves mixing and dispersing polymer molding and graphene oxide powder.

SHAO Q G, QIN L C, TANG J

Graphene powder used as conductive support agent of lithium-ion battery electrode, is formed by adhering dispersing agent having quinophthalone skeleton and polar group to graphene surface.

SHIGETA K, KUBOTA Y

Preparing graphene fluorescent nanomaterial comprises mixing graphite powder with tetrahydrofuran, dispersing mixture, adding alkali metal and naphthalene to mixture, reacting mixture, adding halogenated organic solvent, washing and drying.

DENG S, ZHENG L, FENG L, HUANG R, XIE S

Structure, useful for forming graphene layer useful in e.g. high-speed semiconductor, comprises highly oriented pyrolytic graphite with an exposed surface, metal layer, coating layer, and support attached to surface of metal layer.

LEE Y S, KIM J H