国家/地区 美国（67） 世界知识产权组织（47） 韩国（38） 中国（37） 日本（32） 欧洲专利局（EPO）（26） 台湾（16） 印度（8） 英国（6） 加拿大（5） 澳大利亚（4） 西班牙（4） 新加坡（4） 香港（2） 以色列（2）
IPC部 B（88）
IPC大类 C01（88）
IPC小类 C01B（88）
IPC C01B031/04（65） B82Y040/00（44） B82Y030/00（38）
C01B031/02（31） H01B001/04（21） C01B032/182（20）
C01B032/15（13） H01L029/16（11） C01B032/18（10）
C01B032/184（10） C01B032/194（10） H01G011/36（10）
H01M004/62（10） H01M004/587（9） B82B003/00（8）
发明人 JEON S（3） KIM H（3） LEE J（3）
LEE S（3） WANG J（3） YANG S（3）
ZHANG X（3） CHIO S（2） CHIU G（2）
CHOI J（2） CHOI J Y（2） CHOI S H（2）
CHUNG H（2） DO S（2） DO S H（2）
公开年 2015（50） 2014（27） 2016（11）
申请年 2014（88）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（6） COUNCIL SCI .（3） BASF SE（2） BOEING CO（2）
CHIU G（2） CORNING PREC.（2） GRAPHENE PLA.（2） HANWHA CHEM .（2）
LG CHEM CO L.（2） LG CHEM LTD（2） NAT CENT NAN.（2） SAMSUNG CORN.（2）
UNIV INDIANA.（2） UNIV KYUNGHE.（2） UNIV KYUNGHE.（2） UNIV RICE WI.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV TEXAS S.（2） UNIV YONSEI .（2） XIE J（2）

Graphene double-barrier resonant tunneling apparatus, has second contact which applies second voltage to fermion sink nanolayer, and transport contact which enables electric current through fermion transport nanolayer.

ASTLEY M R, ASTLEY M

Manufacture of secondary battery cathode material involves preparing silicon colloidal solution using waste silicon sludge suspension, preparing mixture of silicon agglomerates, graphene oxide and dispersion medium, and heat-treating.

JANG H D, CHANG H, KIM H, ZHANG X, JIN H

Signal cable for transmitting signal between transmitter and receiver, has connecting portion which includes graphene layer disposed on polymer layer and providing electrical connection between plugs.

NAWROCKI P

Graphene oxide foam used in manufacture of graphene oxide/carbon nanotube composite foam and manufacture of graphene aerogel, comprises aggregate comprising graphene oxide provided with cavity.

HAYASHI Y, QIN L C, TANG J

Light-emitting structure for light bulb comprises substrate, system of wires, and LEDs in which each wire has a laminate structure containing copper layer and graphene layer and is in electrical contact with LED.

LAI C P

Separating carbon structure including e.g. graphene and carbon nanotube deposited on seed structure, comprises e.g. providing carbon structure into processing chamber, heating carbon structure and seed structure, and supplying etching gas.

MATHARU J, THOMAS S, TEO K B K, JOUVRAY A, JOUBEUREI A, MATARU J, TOMASEU S

Photoelectric conversion element for solar cell, has graphene nano ribbon that joins p type semiconductor and n type semiconductor and includes armchair-type edge portion.

ONABE S, OKADA S

Manufacturing method of graphene laminated structure, involves setting film thickness of iron carbide film more than thickness of boron nitride layer.

OSHIMA H

Tunneling diode used for diode-based optoelectronic device, consists of silicon quantum dot layer formed on silicon oxide thin film, doped layer having structure having graphene-silicon quantum dot hybrid structure, and electrode.

CHOI S H, SHIN D H, KIM S, SUK H C, DONG H S, SUNG K, CHIO S, SHIN D, JIN C

Graphene producing device has cathode and anode which are configured to create arc discharge producing flux stream, and to deposit material from flux stream on substrate.

KEIDAR M, SHASHURIN A