国家/地区 美国（31） 世界知识产权组织（22） 韩国（21） 中国（17） 欧洲专利局（EPO）（15） 日本（14） 台湾（8） 英国（6） 波兰（3） 澳大利亚（2） 印度（2） 俄罗斯（2）
IPC部 C（46）
IPC大类 C01（46） C30（46） C23（25）
H01（19） B82（13） B32（7）
B01（6） B05（4） C03（2）
C22（2） C25（2）
IPC小类 C01B（46）
IPC C30B025/18（46）
发明人 DIXON S（3） GUINEY I（3） CHOI J（2）
CHOI J Y（2） DENG P（2） GUO H（2）
HONG B H（2） LEI T（2） RUOFF R S（2）
THOMAS S（2） TOH C T（2） YOON S（2）
ZHANG K（2） ZHANG Y（2）
公开年 2021（7） 2015（6） 2016（5） 2022（5） 2013（4） 2014（4） 2017（4） 2012（3） 2009（2） 2011（2） 2023（2）
申请年 2021（8）  2013（7）  2016（7）  2012（5）  2014（5）  2020（3）  2008（2）  2015（2）  2022（2） 
专利权人 PARAGRAF LTD（3） GRAPHENE SQU.（2） UNIV SEOUL N.（2） UNIV SINGAPO.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV TEXAS S.（2） UNIV XIDIAN（2）

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing multilayer graphene, involves synthesizing multilayer graphene from carbon source using iron-chromium alloy film as catalyst.

HAYASHI K, KONDO O

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing transition metal chalcogen compound useful in semiconductor devices comprises forming graphene thin film, forming transition metal chalcogen compound on graphene thin film from transition metal precursor and chalcogen precursor.

HOON L S, HONG B H, KIM J W, CHO S P, BAEKWON P, LEE G S, IL J, LIM E H

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Production of transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction composite involves transferring graphene onto flexible substrate, depositing transition metal layer on substrate, and injecting gas containing plasma-treated sulfur.

KIM H U, SEOK H, LEE J, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H

Method for reducing nucleation density of graphene, involves passing gas into quartz tube to normal pressure after vacuuming and turning OFF heating and gas supply of tube furnace and cooling tube furnace to room temperature after growth of graphene is completed.

YUAN L

Producing epitaxial structure useful in flexible electronic device comprises providing multilayer graphene layer having through-holes, providing single crystal substrate having graphene layer formed and growing semiconductor structure.

HONG Y, JUNG J S, JUNGJOONSUCK