国家/地区 美国（72） 世界知识产权组织（54） 中国（49） 日本（42） 韩国（37） 欧洲专利局（EPO）（33） 台湾（16） 加拿大（7） 印度（7） 西班牙（4） 英国（4） 澳大利亚（3） 墨西哥（3） 俄罗斯（3） 法国（2） 波兰（2）
IPC部 C（121）
IPC大类 C01（121） C30（121） C23（48）
H01（47） B82（41） B32（18）
B01（12） B05（7） C25（5）
C03（3） C08（3） C09（3）
C22（3） H05（3） B21（2）
IPC小类 C01B（121）
IPC C30B029/02（121）
发明人 ZHANG Y（7） GUO H（6） AIDA H（4）
AOTA N（4） CHOI J（4） CHOI J Y（4）
JANG B Z（4） TANG X（4） VEERASAMY V S（4）
YOON S（4） ZHANG K（4） ZHAO Y（4）
DIXON S（3） GUINEY I（3） LI Y（3）
公开年 2014（16） 2013（15） 2021（12） 2011（11） 2012（10） 2015（9） 2016（9） 2017（9） 2022（8） 2023（6） 2009（5） 2020（4） 2018（3） 2010（2）
申请年 2012（20）  2013（15）  2016（13）  2014（10）  2021（10）  2011（9）  2020（9）  2009（7）  2022（7）  2015（6）  2010（4）  2019（4）  2008（3）  2017（3） 
专利权人 UNIV XIDIAN（6） NAMIKI SEIMI.（5） GUARDIAN IND.（4） NANOTEK INST.（4）
SAMSUNG ELEC.（4） DOKURITSU GY.（3） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3）
NIPPON MININ.（3） PARAGRAF LTD（3） UNIVERSAL MA.（3） CHINESE ACAD.（2）
EMPIRE TECHN.（2） FUJITSU LTD（2） GEN GRAPHENE.（2） JANG B Z（2）
JX NIPPON MI.（2） MAX PLANCK G.（2） NAT INST ADV.（2） SHANGHAI INS.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Preparing graphene crystal using plasma enhanced chemical vapor deposition device involves placing insulating substrate in synthesis chamber, pumping synthesis chamber to vacuum, introducing growth gas, generating plasma and transversely growing graphene small crystal nucleus on insulating substrate.

MA S, LIU B

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Device used to conversion of feedstock to resultant material having higher degree of crystallinity than feedstock comprises constraining reservoir, electrodes, compression system, alternating current power source and electrical controller.

MANCEVSKI V, LUONG D X, COOKSEY T, WILLIAMS J, MAZOR E, ZHANG Z, JAY B

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Preparing composite dimension carbon atom framework van der Waals homogeneous structure temperature control physical defogging film comprises e.g. preparing powder-shaped carbon nanotube material, spraying cellulose acetate by connecting cellulose acetate solution and obtaining defogging film.

JIANG X, DONG H, TIAN B

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O