国家/地区 中国（80） 美国（20） 世界知识产权组织（12） 欧洲专利局（EPO）（9） 日本（9） 韩国（7） 台湾（5） 法国（3）
IPC部 C（100）
IPC大类 C01（100） C23（21） H01（19）
B82（15） G01（7） B01（6）
C03（5） C22（4） C25（4）
A61（2） B32（2） C08（2）
C09（2） G03（2） H05（2）
IPC小类 C01B（100）
IPC C01B032/186（100）
发明人 LI Z（7） WANG J（6） ZHANG J（5）
ZHANG Y（5） LI X（4） LIU X（4）
LIU Z（4） WEI X（4） CHEN J（3）
CHEN Z（3） DUAN Y（3） FENG Z（3）
GUO X（3） HE Z（3） HUANG D（3）
公开年 2017（49） 2018（48） 2019（3）
申请年 2017（100）
专利权人 CHENGDU GELA.（4） UNIV PEKING（4） 13TH RES INS.（3） CHONGQING GR.（3）
COMMISSARIAT.（3） SAMSUNG ELEC.（3） TOKYO ELECTR.（2） TOSHIBA KK（2）
UNIV CHONGQI.（2） UNIV NANCHAN.（2） UNIV NANJING.（2） UNIV SOUTHEA.（2）
UNIV TIANJIN（2） UNIV TSINGHU.（2） UNIV XIAN JI.（2）

Vertical tube furnace useful for growing graphene comprises a furnace body, the furnace body is provided with process cabin, a transition chamber is disposed above or below the furnace body.

SHEN D, TAN P, LIU H, TAN H

Composite electrode material for composite electrode used for lithium based battery comprises a core, and graphene nanowall or graphene-like carbon nanowall where graphene nanowall or graphene-like carbon nanowall grows on surface of core.

TZENG Y, PAN Y

Formation of graphene layer on metal layer used in sensing applications, involves heating process chamber, introducing carbon including deposition gas into chamber and transporting precursors into metal layer.

GILLES OLLIVIER BORME J, LUIS MACHADO J, PEDRO DOS SANTOS HALL DE AGORR, BARBOSA QUEIROS R, JORGE PEIXEIRO DE FREITAS P

Preparing graphene micro lattice involves using process of additive manufacturing to form three dimensional micro-lattice structure deposited on surface of core mould.

LI Z, ZHAO B, HOU H, XU Y

Preparation of nitrogen-doped graphene involves providing growth substrate and nitrogen-carbon solid source, heating growth substrate and nitrogen-carbon solid source and depositing crystal on surface of growth substrate.

FANG X, WAN J, YOU Y, XU Y, CHEN X

Preparation of high quality graphene or two-dimensional metal carbide crystal vertical heterostructure material includes using bimetal laminate of upper copper foil or underlying metal foil as growth substrate, heating, growing and etching.

REN W, XU C, CHEN L, CHENG H

Catalytically synthesizing three-dimensional graphene comprises mixing solid carbon source, metal salt catalyst and solvent, coating on surface of substrate, heat-treating in a protective atmosphere, and cooling.

GUO X, TAN Y, JIA Z

Semiconductor device comprises substrate comprising insulator and semiconductor comprising group IV material and/or group III-V compound, and graphene layer grown on surface of semiconductor.

SHIN K, SHIN H, CHO Y, NAM S, PARK S, LEE Y, SHIN K W, SHIN H J, CHO Y C, NAM S G, PARK S J, LEE Y S

Structure comprises substrate, and graphene having nucleus to which cross-sectional area of direction parallel to substrate becomes small as it separates from substrate to surface side of substrate, helical form and width.

NARUTSUKA S, UEDA Y

Preparation of ultra-clean graphene involves using chemical vapor deposition, and providing foam copper above growth substrate.

LIU Z, PENG H, LIN L, ZHANG J, SUN L