国家/地区 美国（38） 韩国（30） 世界知识产权组织（26） 中国（24） 日本（16） 台湾（13） 欧洲专利局（EPO）（12） 德国（5） 加拿大（3） 澳大利亚（2） 巴西（2） 英国（2） 新加坡（2）
IPC部 C（57）
IPC大类 C01（57）
IPC小类 C01B（57）
IPC C23C016/455（57）
发明人 MATSUMOTO T（4） IFUKU R（3） KIM Y K（3）
LEE S J（3） NISHIDE D（3） PARK S（3）
WANG J（3） CHIU P（2） DIXON S（2）
GUINEY I（2） HAN S H（2） HUANG K（2）
INGLE N K（2） JOUVRAY A（2） KAGAYA M（2）
公开年 2017（11） 2021（9） 2013（7） 2016（7） 2015（5） 2022（5） 2023（4） 2014（3） 2012（2） 2018（2）
申请年 2016（10）  2021（7）  2022（7）  2013（6）  2015（6）  2014（5）  2017（5）  2020（5）  2012（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4） TOKYO ELECTR.（4） APPLIED MATE.（3） AIXTRON SE（2）
IND TECHNOLO.（2） KOREA ELECTR.（2） PARAGRAF LTD（2） SAMSUNG TECH.（2）
UNIV CALIFOR.（2） UNIV SINGAPO.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

Processing semiconductor for producing high quality devices and structures, involves delivering carbon-containing precursor and hydrogen-containing precursor to processing region of semiconductor processing chamber, forming layer of graphene on substrate positioned in processing region of chamber.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J

Photoanode used for photoelectrochemical decomposition of water and oxygen evolution, comprises base layer, dielectric passivation layer and sandwich composite layer arranged in sequence.

GONG J, XIE G

Preparing nanoparticles on a substrate for composite, involves depositing micro-sized particles or salt precursors on a substrate, and applying a rapid, high temperature thermal shock to the substrate and the micro-sized particles or the salt precursors.

YAO Y, CHEN Y, HU L

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S

Plasma enhanced chemical vapor deposition method used in semiconductor structure, comprises turning on radio frequency source of radio frequency system to decompose aromatic hydrocarbon precursor into multiple active radicals at specific frequency to form graphene layer on magnetic layer.

WU Z, NI I, XU Y, HUANG J, WU C, HSU Y, HUANG J Z, HSU Y H

Method for forming film e.g. graphene film on substrate, involves supplying aromatic hydrocarbon gas having functional group, to substrate on which base film is formed, and activating aromatic hydrocarbon gas adsorbed on surface of base film by plasma of reaction gas containing rare gas.

MATSUMOTO T, IFUKU R