国家/地区 中国（121）
IPC部 C（121）
IPC大类 C01（121） H01（111） C23（42）
B82（35） H05（12） B01（10）
B32（8） C25（7） C30（6）
C04（5） C09（5） G01（5）
B05（4） C03（4） B22（3）
IPC小类 C01B（121）
IPC C01B032/186（121）
发明人 LI J（8） LI Z（8） LI Y（7）
ZHANG Y（7） LIU Z（6） SHIN H（5）
SHIN H J（5） KIM S（4） LEE E（4）
LI C（4） SHIN K（4） SHIN K W（4）
THOMAS S（4） BYUN K（3） BYUN K E（3）
公开年 2021（20） 2022（19） 2020（16） 2017（15） 2015（8） 2016（8） 2023（8） 2014（7） 2019（6） 2018（5） 2012（4） 2013（3）
申请年 2022（21）  2019（16）  2020（15）  2021（14）  2016（12）  2015（10）  2013（8）  2014（8）  2017（6）  2018（5）  2011（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（10） PARAGRAF LTD（4） HANWHA TECHW.（3） SAMSUNG TECH.（3）
UNIV CALIFOR.（3） BEIJING GRAP.（2） CALIFORNIA I.（2） CENT ADVANCE.（2）
CHINESE ACAD.（2） CHONGQING GR.（2） HKC CO LTD（2） JIANGSU JIAN.（2）
LAM RES CORP（2） LG ELECTRONI.（2） SHANGHAI INS.（2） SHANGHAI INS.（2）
SHINETSU CHE.（2） SHINETSU CHE.（2） SONGSHAN LAK.（2） UNIV CHINA P.（2）

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Semiconductor device comprises interconnection structure comprises seed layer disposed on first conductive layer, seed layer including graphene; and metal migration barrier layer disposed on seed layer, metal migration barrier layer including MXene.

HAN J H, KOO W T, HAN Z, KOO W, TAE K W

Graphene carbide/silicon carbide composite material used in electromagnetic shielding device, comprises multiple graphene of silicon carbide crystal grains uniformly distributed to form thin film.

LI Z, ZHANG L, TU R, XU Q, ZHANG S

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Preparing a sponge nickel-loaded nitrogen and fluorine double-doped vertical graphene useful in e.g. preparing anode and cathode materials for lithium-sulfur batteries, comprises e.g. obtaining Ni(AC)2 aqueous solution, adding N2H4H2O and mixing to obtain reaction solution.

TU J, WANG X, QIU Z, XIA X

Depositing graphene barrier film, involves placing substrate containing the titanium thin film layer into substrate processing system chamber forming processing space, supplying first reaction gas into chamber, supplying second reaction gas, and forming graphene layer on titanium thin film layer.

PARK J, LI J, JIN D, SUN W, KIM T, YIN Y, TIAN Z, BAK H, PARK J H, LEE K J, KIM D W, SUN W H, KIM T S, YOON W J, JEON J H, PARK H K, PARK H, JEONJINHO, YUN W J, WOO K D, LEE K

Preparation method of graphene-based composite material involves using mixed gas of argon gas and hydrogen as carrier gas, and obtaining graphene-based composite material by chemical vapor deposition, where graphene material grows parallel to substrate in composite material.

WEI M, CHEN L, GUO X, ZHAO Y, LI X, ZENG F, TANG S, TANG Z

Graphite heater for chemical vapor deposition graphite alkene comprises graphite electrode connected with water cooling copper electrode of gas phase deposition furnace and heating component comprising electric part and heating rod.

WANG J, XU A, XUE Y

Flower spherical graphene material useful for anode pole piece used in sodium-based dual-ion battery, comprises multiple two-dimensional petal-shaped sheet structure, and has three-dimensional channel structure.

DENG B, SHI X, LIU T, ZHANG Y, WANG J, MO R

Method for preparing continuous film graphene conducting sheet, comprises annealing metal sheet under atmosphere of non-oxidizing gas and protective gas, introducing carbon-containing gas into metal sheet and placing metal sheet on lining bottom of heat-resistant pipe.