国家/地区 台湾（53）
IPC部 C（53）
IPC大类 C01（53）
IPC小类 C01B（53）
IPC C23C016/26（32） C01B031/04（27） B82Y030/00（21）
C01B031/02（21） B82Y040/00（19） C01B032/186（17）
H01L021/02（13） C01B032/182（12） C23C016/02（9）
C23C016/455（9） C23C016/56（8） H01B001/04（8）
H01B013/00（8） C01B032/184（7） C23C016/50（7）
发明人 FAN F Y（5） FAN S（5） GUINEY I（4）
JIANG K（4） LIN X（4） THOMAS S（4）
VEERASAMY V（4） VEERASAMY V S（4） XIAO L（4）
LIN X Y（3） MUELLEN K（3） WANG J（3）
CHEN J（2） DIXON S（2） GLASS H（2）
公开年 2021（9） 2022（8） 2011（7） 2015（6） 2012（5） 2013（5） 2016（4） 2010（2） 2018（2） 2019（2）
申请年 2021（9）  2011（7）  2009（5）  2014（5）  2020（5）  2012（4）  2015（4）  2013（3）  2010（2）  2016（2）  2017（2）  2019（2）  2022（2） 
专利权人 APPLIED MATE.（5） HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5） UNIV TSINGHU.（5）
GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） PARAGRAF LTD（4）
BASF SE（3） MAX PLANCK G.（3） CALIFORNIA I.（2） CORNING INC（2）
IND TECHNOLO.（2） LAM RES CORP（2） TAIWAN SEMIC.（2） TOKYO ELECTR.（2）
UNIV NAT CHE.（2） UNIV TAIWAN .（2） VEERASAMY V .（2）

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Laminate used for electronic device such as display device, comprises substrate, layer containing compound having condensed polycyclic hydrocarbon structure, and layer containing conductive material.

NAOYA N, KAZUNORI T, NOSAKA N, TAKANASHI K

Depositing graphene layer on substrate in plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene at low temperatures, involves providing substrate within modular microwave plasma chamber, and flowing carbon source and hydrogen source into modular microwave plasma chamber.

KRAUS P A, NGUYEN H, MEBARKI B, WANG C, VALENCIA C, CHUA T C

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S

Plasma enhanced chemical vapor deposition method used in semiconductor structure, comprises turning on radio frequency source of radio frequency system to decompose aromatic hydrocarbon precursor into multiple active radicals at specific frequency to form graphene layer on magnetic layer.

WU Z, NI I, XU Y, HUANG J, WU C, HSU Y, HUANG J Z, HSU Y H

Porous silicon-carbon composite used for negative electrode active material for lithium secondary battery, comprises silicon particles, magnesium fluoride, and carbon.

LIM J C, LEE J, JEON Y M, LIM S W, PARK J G, LEE H S, LIM H H, NAM S J, LEE E, LIM J, HYUN L J, IMSUNGWOO, HEE L, JIN N, PARK S

Forming graphene on flexible substrate, involves providing polymer substrate including metal structure, carbon source and carrier gas, and subjecting polymer substrate to plasma enhanced chemical vapor deposition process.

TSENG C, LIN C, YEH N, LEU C, LU C

Carrier substrate for transferring transfer layer from carrier substrate to product substrate, comprises carrier base substrate, protective layer, and transfer layer grown on protective layer.

BURGGRAF J, JUERGEN B

Semiconductor device e.g. monolithic three-dimensional integrated circuit, has microelectronic components embedded in single crystalline dielectric material, where material contains carbon with diamond structure or hexagonal boron nitride.

CLARK R D, CLARK R