国家/地区 世界知识产权组织（82）
IPC部 C（82）
IPC大类 C01（82）
IPC小类 C01B（82）
IPC C30B029/02（54） C01B031/04（43） B82Y040/00（34）
C01B031/02（31） B82Y030/00（26） C23C016/26（26）
C01B032/186（23） C30B025/18（22） C01B032/184（17）
C30B029/64（16） C01B032/182（14） H01L021/02（14）
C01B032/194（13） C23C016/02（13） C30B025/02（13）
发明人 JANG B Z（4） BERRY V（3） DING G（3）
IACOPI F（3） KELBER J（3） MANCEVSKI V（3）
SEACRIST M R（3） VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3）
XIE X（3） AHMED M（2） CASTRO A H（2）
CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2） COJOCARU C（2）
公开年 2013（11） 2014（10） 2012（8） 2021（8） 2011（7） 2015（7） 2016（6） 2017（6） 2020（4） 2022（4） 2023（4） 2009（2） 2010（2）
申请年 2012（12）  2013（11）  2020（9）  2011（8）  2014（7）  2009（6）  2016（6）  2015（5）  2022（5）  2021（4）  2010（2）  2017（2）  2019（2） 
专利权人 NANOTEK INST.（4） CENT NAT REC.（3） GLOBAL GRAPH.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） SHANGHAI INS.（3） SUNEDISON SE.（3）
UNIV NORTH T.（3） UNIV SINGAPO.（3） UNIV SYDNEY .（3） UNIVERSAL MA.（3）
CHINESE ACAD.（2） CNRS CENT NA.（2） DING G（2） ECOLE POLYTE.（2）
EMPIRE TECHN.（2） JX NIPPON MI.（2） KELBER J（2） LOCKHEED MAR.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Pellicle used for reticle for extreme-UV exposure, comprises pellicle film through which extreme-UV rays transmit and support frame for supporting pellicle film, where pellicle film comprises multilayer thin film structure.

KIM Y H, KIMYONGHWAN

Device used to conversion of feedstock to resultant material having higher degree of crystallinity than feedstock comprises constraining reservoir, electrodes, compression system, alternating current power source and electrical controller.

MANCEVSKI V, LUONG D X, COOKSEY T, WILLIAMS J, MAZOR E, ZHANG Z, JAY B

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Film formation method involves forming metal film on silicon-containing film of substrate, forming a graphene film on metal film, where metal film is silicided by heating metal film, and continuously performing film forming process.

UEDA H, WADA M, ZHEN

Forming dry electrode for measuring electrophysiological readings, by growing silicon carbide film on silicon substrate, depositing metals on surface of silicon carbide film, heating to react metal with silicon of silicon carbide film to form carbon and silicide and carbon forms graphene layer.

IZZO K A, AMJADI POUR M, FAISAL S N, LIN C, IACOPI F

Manufacture of expanded graphite for forming exfoliated graphene oxide, involves adding iron(III) salt to mixture containing potassium manganese oxide, graphite and sulfuric acid/phosphoric acid to form solid graphite-intercalated compound, separating obtained compound and heating.

CHEN A, SALVERDA M, THIRUPPATHI A R, SIDHUREDDY B, RAHMATI F

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Coating metal workpiece e.g. electrical connector, involves exposing workpiece to carbon-containing precursor gas and hydrogen gas at preset flow rate and total gas pressure, and exposing to carbon-containing precursor gas and carrier gas.

ADAMS H J