国家/地区 美国（21） 中国（20） 世界知识产权组织（15） 韩国（11） 日本（10） 欧洲专利局（EPO）（9） 台湾（7） 英国（4） 印度（3） 法国（2）
IPC部 C（37）
IPC大类 C23（37） C30（37） C01（21）
H01（18） B32（6） B82（6）
B01（3） B05（3） C04（3）
C03（2） C25（2）
IPC小类 C23C（37）
IPC C23C016/02（37）
发明人 ZHANG Y（3） CHEN Z（2） COJOCARU C（2）
DIXON S（2） GUINEY I（2） HAO Y（2）
LEI T（2） LIU Z（2） SONG Z（2）
WANG D（2） ZHANG J（2）
公开年 2022（7） 2013（4） 2016（4） 2012（3） 2017（3） 2021（3） 2023（3） 2015（2） 2018（2） 2020（2）
申请年 2021（6）  2011（4）  2016（4）  2020（4）  2022（4）  2013（3）  2015（3）  2012（2）  2014（2）  2017（2） 
专利权人 UNIV XIDIAN（3） CENT NAT REC.（2） ECOLE POLYTE.（2） PARAGRAF LTD（2）
SHANGHAI INS.（2）

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Preparing metal/graphene/polycrystalline diamond film particle detector used in field of nuclear physics, comprises depositing layer of graphene on surface of patterned metal substrate as ohmic contact electrode layer and growing diamond film in situ on graphene, where metal substrate is copper foil.

XIONG Y, WANG B

Preparing single crystal domain and polycrystalline domain graphene useful in technical field of basic research and graphene, comprises heating graphene film under an air atmosphere and annealing.

ZHENG Q, MA M, HUANG J, YU Z, HE Y

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Substrate for forming semiconductor device, comprises graphene layer arranged on silicon surface of silicon carbide crystal substrate, epitaxial growth layer, and graphene layer arranged on silicon surface of epitaxial growth layer.

NORIYUKI M, TAKUJI M, MITSURU M, TAKAYASU O

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Preparation of gallium nitride epitaxial structure by providing a silicon carbide substrate, pre-processing, growing a graphene film, growing diamond film, growing aluminum nitride polycrystalline film, and annealing.

PAN Y, FENG H, TANG J

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K