国家/地区 欧洲专利局（EPO）（52）
IPC部 C（52）
IPC大类 C30（52） C01（48） H01（27）
B82（24） C23（24） B32（11）
B01（8） B05（4） C04（4）
C08（3） C09（3） B21（2）
C03（2） C07（2） C10（2）
IPC小类 C30B（52）
IPC C30B029/02（34） C01B031/04（31） B82Y040/00（23）
C01B031/02（21） B82Y030/00（20） C23C016/26（16）
C30B025/18（16） C30B029/64（13） C01B032/184（12）
C01B032/186（12） H01L021/02（12） C30B025/02（10）
H01L029/16（10） C01B032/182（9） C01B032/194（9）
发明人 VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3） AHMED M（2）
ATRASZKIEWICZ R（2） BERRY V（2） CASTRO A H（2）
CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2） COJOCARU C（2）
DONG G（2） DYBOWSKI K（2） FIMLAND B M（2）
IACOPI F（2） KELBER J（2） KIM J（2）
公开年 2013（8） 2021（7） 2011（6） 2015（6） 2014（5） 2016（5） 2017（5） 2010（3） 2012（3） 2018（2）
申请年 2013（11）  2020（7）  2011（5）  2016（5）  2009（4）  2012（4）  2014（4）  2015（4）  2017（3）  2010（2） 
专利权人 CENT NAT REC.（3） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3）
UNIV SINGAPO.（3） CNRS CENT NA.（2） CRAYONANO AS（2） ECOLE POLYTE.（2）
JX NIPPON MI.（2） LOCKHEED MAR.（2） MAX PLANCK G.（2） NIPPON MININ.（2）
SUNEDISON SE.（2） UNIV GRIFFIT.（2） UNIV NORTH T.（2） UNIV SINGAPO.（2）
UNIV SYDNEY .（2） UNIVERSAL MA.（2）

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Sp2-sp3 hybrid crystalline boron nitride has basic structural unit composed of sp2 hybridized graphite-like structural unit and sp3 hybridized diamond-like structural unit, where the two types of units are connected via coherent interface.

ZHAO Z, LUO K, SUN L, LIU B, HU W, HE J, YU D, TIAN Y, XU B, LIU Z, ZHAO Z S, HU W T, HE J L, YU D L, TIAN Y J, LIU Z Y

Coating metal workpiece e.g. electrical connector, involves exposing workpiece to carbon-containing precursor gas and hydrogen gas at preset flow rate and total gas pressure, and exposing to carbon-containing precursor gas and carrier gas.

ADAMS H J

Formation of porous graphene layer used as semipermeable membrane, involves providing catalytically active substrate comprising copper-nickel alloy substrate, to catalyze graphene formation under chemical vapor deposition conditions.

CHOI K, PARK H G, HEIGHT M, CHOI K J, PARK H, PIAO H

Device for synthesis of graphene has container with space for holding carbon source and entry opening, electrodes for applying electrical current through space for joule heating carbon source, and movement component for moving carbon source.

MANCEVSKI V, VLADIMIR M

Device for converting carbon pill into graphene used for producing turbostratic graphene, comprises space between electrically conductive surfaces to support carbon pill in space, electrodes coupled to conductive surfaces and power supply.

MANCEVSKI V, VLADIMIR M

Composition of matter for light-emitting diode or photodetector device, has nanowires or nanopyramids that are epitaxially grown on graphene layer, and graphene layer is directly supported on crystalline substrate.

MUNSHI M, WEMAN H, FIMLAND B M, PIMLANDBOERNOBEEM

Composition of article used for solar cell, comprises sapphire, silicon, gallium oxide or specific group semiconductor substrate, and intermediate specific group semiconductor layer, graphene layer, holes, and nanowires or nanopyramids.

MUNSHI M, WEMAN H, DHEERAJ D L, FIMLAND B M, VIGEN L, BARRIET D, PIMLANDBJOERNOBEEM, WIGGENREIDULPH, DAVID B

Manufacturing multilayer graphene e.g. suspended or deposited multilayer graphene used for device e.g. sensor involves depositing graphene monolayer having protective layer on top on sample containing another graphene monolayer.

ZURUTUZA ELORZA A, CENTENO PEREZ A, PESQUERA RODRIGUES A, ZURUTUZA E A, CENTENO P A, PESQUERA R A

Preparation of graphene on surface of silicon carbide, involves subjecting silicon carbide crystal with crystallographic orientation of surface to specified pressure, annealing under preset pressure, and annealing in stream of silicon atoms.

CIOCHON P, KOLODZIEJ J, CICHON P