国家/地区 美国（63）
IPC部 B（63） C（63） H（31）
G（2）
IPC大类 B82（63）
IPC小类 C30B（63）
IPC B82Y040/00（55） B82Y030/00（43） C01B031/04（40）
C30B029/02（39） C01B031/02（22） C01B032/186（14）
C23C016/26（14） C30B025/18（14） H01L021/02（14）
C01B032/184（12） C01B032/182（11） H01L029/16（11）
C30B029/64（10） C01B032/188（9） C30B029/60（9）
发明人 VEERASAMY V S（5） JANG B Z（4） VEERASAMY V（3）
WANG H（3） XIE X（3） XIONG W（3）
ZHAMU A（3） ARNOLD M S（2） BERRY V（2）
CASTRO A H（2） CHOI J（2） DING G（2）
HAUCK J P（2） LIU H（2） LOH K（2）
公开年 2013（13） 2012（10） 2014（8） 2011（7） 2016（4） 2017（4） 2018（4） 2015（3） 2021（3） 2009（2） 2010（2）
申请年 2012（13）  2013（12）  2011（8）  2009（4）  2014（4）  2016（4）  2017（4）  2015（3）  2008（2）  2010（2）  2020（2）  2021（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（5） NANOTEK INST.（4） UNIV SINGAPO.（4） EMPIRE TECHN.（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） SAMSUNG ELEC.（3） SHANGHAI INS.（3）
CHINESE ACAD.（2） DING G（2） JANG B Z（2） LOCKHEED MAR.（2）
MEMC ELECTRO.（2） SAMSUNG TECH.（2） SUNEDISON SE.（2） UNIV CALIFOR.（2）
UNIV KANSAS .（2） UNIV SINGAPO.（2） WANG H（2） WISCONSIN AL.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Composition used in flexible near infrared photodetector, comprises nanowire.

IYER S, NALAMATI S R K, LI J

Composition of article used for solar cell, comprises sapphire, silicon, gallium oxide or specific group semiconductor substrate, and intermediate specific group semiconductor layer, graphene layer, holes, and nanowires or nanopyramids.

MUNSHI M, WEMAN H, DHEERAJ D L, FIMLAND B M, VIGEN L, BARRIET D, PIMLANDBJOERNOBEEM, WIGGENREIDULPH, DAVID B

Producing graphene/metal nanowire hybrid material composition for electrode of lithium battery by preparing a catalyst metal-coated mixture mass and exposing catalyst metal-coated mixture mass to high temperature environment.

JANG B Z

Manufacturing multilayer graphene e.g. suspended or deposited multilayer graphene used for device e.g. sensor involves depositing graphene monolayer having protective layer on top on sample containing another graphene monolayer.

ZURUTUZA ELORZA A, CENTENO PEREZ A, PESQUERA RODRIGUES A, ZURUTUZA E A, CENTENO P A, PESQUERA R A

Composition of matter used as hydrogen storage material, comprises transition metal doped magnesium nanocrystal encapsulated with reduced graphene oxide.

URBAN J J, RUMINSKI A M, CHO E S, BARDHAN R, BRAND A, WOOD B C, HEO T W, SHEA P T, KANG S Y, ZHOU X

Heat dissipation system used in e.g. power tool and microelectronic or telecommunication device, comprises heat spreader comprising unitary graphene monolith comprising closely packed and chemically bonded parallel graphene oxide planes.

ZHAMU A, XIONG W, JANG B Z

Preparation of graphene on surface of silicon carbide, involves subjecting silicon carbide crystal with crystallographic orientation of surface to specified pressure, annealing under preset pressure, and annealing in stream of silicon atoms.

CIOCHON P, KOLODZIEJ J, CICHON P