国家/地区 中国（3584） 美国（1943） 韩国（1361） 世界知识产权组织（949） 日本（632） 欧洲专利局（EPO）（401） 台湾（298） 印度（132） 德国（95） 英国（55） 加拿大（36） 澳大利亚（27） 新加坡（26） 法国（25） 俄罗斯（24） 巴西（16） 香港（14） 西班牙（11） 波兰（10） 墨西哥（6）
IPC部 H（6278） C（1717） B（1184）
G（804） F（93） A（70）
D（32） E（8）
IPC大类 H01（6278） C01（1011） B82（792）
C23（423） G01（389） C09（293）
H05（268） B32（241） C08（217）
G02（132） C30（122） G06（119）
B01（114） H10（99） H02（86）
IPC小类 H01L（6278）
IPC H01L029/16（825） H01L021/02（723） H01L031/18（660）
H01L029/786（478） H01L031/0224（460） B82Y040/00（456）
H01L021/336（452） B82Y030/00（423） H01L029/78（419）
H01L029/06（414） C01B031/04（401） H01L029/66（387）
H01L023/373（364） C01B031/02（330） H01L051/00（294）
发明人 ZHANG Y（163） WANG J（151） ZHANG J（124）
WANG X（123） WANG Y（122） WANG H（114）
SHIN H（109） LI J（108） LI X（101）
LIU Y（101） ZHANG X（101） LEE J（91）
LIU X（91） CHEN Y（88） LI Y（88）
公开年 2021（971） 2022（886） 2017（534） 2016（474） 2014（472） 2018（459） 2015（452） 2013（440） 2020（415） 2023（357） 2012（306） 2019（194） 2011（187） 2010（77） 2009（39） 2008（8） 2007（4）
申请年 2021（885）  2020（726）  2022（592）  2016（516）  2015（461）  2019（453）  2014（430）  2017（428）  2013（419）  2012（409）  2011（301）  2018（287）  2010（179）  2009（81）  2023（56）  2008（34）  2007（14）  2006（3）  2002（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（330） INT BUSINESS.（154） UNIV SUNGKYU.（92） FUJITSU LTD（81）
TOSHIBA KK（75） UNIV XIDIAN（73） UNIV ZHEJIAN.（73） UNIV CHINA E.（71）
TAIWAN SEMIC.（68） UNIV PEKING（67） INST MICROEL.（63） SHANGHAI INS.（56）
BOE TECHNOLO.（52） UNIV FUDAN（46） UNIV XIAN JI.（45） UNIV TSINGHU.（44）
SEMICONDUCTO.（41） UNIV SOUTH C.（41） LEE Y T（39） UNIV SEOUL N.（37）

Graphene structure for use in semiconductor device, comprises substrate, graphene on surface of substrate, and bonding region, where material of substrate and carbon of the graphene are covalently bonded, between surface of substrate and graphene, where bonding region has silicon carbide.

JUNG A, LEE C, SHIN K, KIM C, SHIN H, SONG H, BYUN K, LEE E

Polymer-graphene oxide composite material used for photoelectric conversion device, is obtained by dispersing polymethylmethacrylate powder in solvent chosen from several composition.

SHIN Q, DING K

Electron and optical device for use in electronic device, has laminated structure, in which intermediate layer is arranged between laminar substance material layer and metal electrode layer, where intermediate layer is taken as crystal layer.

WENHSIN C, TOSHIFUMI I, NAOYA O, YUTA S, SHOGO H

Direct-current plasma system for processing of substrate, includes direct-current plasma reaction chamber configured to contain direct-current plasma that is generated between anode and cathode of the direct-current plasma reaction chamber.

GODDARD W A, MARGOLESE D I, ANZ S J, SANDO S F

Computing device, comprises substrate, die coupled to substrate, heat spreader thermally coupled to die and comprising body of thermally conductive material having cavity partially surrounding die, and graphene layer contacting surface of body.

CHOW S P, AN L, JI X, ZHOU X

Electromagnetic wave detector for detecting light and radio waves as electromagnetic waves, has ferroelectric material layers that are provided so that voltage change caused in first region differs from voltage change caused in second region.

OGAWA S, SHIMATANI M, FUKUSHIMA S

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Packaging unit for directly cooling semiconductor device, has thin film structure that is provided with pattern portion which is formed in partitioning portion of fluid movement area to include same height as edge portion and closely adhere to flow channel of substrate.

PARK J, KANG M S, KIM H C, LEE H, JANG S J, JEONG H, CHOI I K, KIM S I, LEE S, AHN H, LIM J

Semiconductor device comprises stack of layers defining sidewall surface and comprising source and drain layers, channel structure extending through stack of layers, oriented in vertical direction perpendicular to main surface of stack of layers.

FULFORD H J, GARDNER M I