国家/地区 美国（59）
IPC部 B（45） C（40） H（39）
G（9） D（3）
IPC大类 H01（39） C01（35） B82（27）
B32（24） B05（20） C09（13）
B01（9） C08（9） C07（5）
C23（5） C30（5） G01（5）
B44（4） C03（4） B81（3）
IPC小类 C01B（35） B32B（24） H01L（24）
B82Y（22） B05D（20） H01B（12）
B01J（8） C08K（8） C09D（8）
H01M（7） B82B（6） C09C（6）
C23C（5） C30B（5） G01N（5）
IPC C01B031/04（25） C01B031/02（20） B82Y030/00（18）
B82Y040/00（14） B32B009/00（13） C01B031/00（12）
B05D005/12（9） H01B001/04（8） C08K003/04（7）
B05D003/02（6） H01B001/24（6） B82B003/00（5）
B01J021/18（4） B05D003/10（4） B05D005/00（4）
发明人 CHOI J（9） CHOI J Y（9） SHIN H J（9）
YOON S（9） SHIN H（8） YOON S M（8）
JANG B Z（7） ZHAMU A（7） IN Z（4）
AKSAY I A（3） CRAIN J M（3） KORKUT S（3）
LETTOW J S（3） PRUD H R K（3） PRUD HOMME R K（3）
公开年 2009（59）
申请年 2009（26）  2008（21）  2007（12） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（11） JANG B Z（7） ZHAMU A（7） NANOTEK INST.（6）
AKSAY I A（3） CRAIN J M（3） KORKUT S（3） LETTOW J S（3）
PRUDHOMME R .（3） UNIV CALIFOR.（3） UNIV PRINCET.（3） VORBECK MATE.（3）
GUO J（2） KOREA INST S.（2） UNIV BOARD P.（2） WALBECK MATE.（2）

Modified graphene comprising sp3 orbital, useful in e.g. spintronics device, magneto-electronic device, wafer, ferromagnetic semiconductor, and field effect transistor, and as room temperature ferromagnetic semiconductor.

BEKYAROVA E, HADDON R C, HONG J, ITKIS M E, KHIZROEV S, RAMESH P

Method for exfoliating carbonization catalyst from graphene sheet used for forming e.g. transparent electrodes, involves forming binder layer on surface of the sheet, and exfoliating the carbonization catalyst from the graphene sheet.

CHOI J, SHIN H J, YOON S, CHOI J Y, IN Z

Stacked graphene-diamond hybrid material for semiconductor device comprises diamond matrix, and stacked graphene configured to be converted in certain thickness from a lattice plane cut by surface of matrix due to alternative loss of plane.

AHN J, LEE J, LEE S, LEE W, AHN J P, LEE J K, LEE S C, LEE S H, LEE W S, LEE U

Stack structure useful in electronic device comprises silicon substrate, under layer formed on the silicon substrate, epitaxial graphene layer formed on under layer, nickel layer and copper layer between silicon substrate and nickel layer.

CHUNG H, JEON D, KIM D, SEO S, WOO Y, CHUNG H J, JEON D Y, KIM D C, SEO S A, WOO Y S

Functionalized graphene sheet used for manufacturing metal nanoparticle-graphene composite, comprises functional group on basal plane of graphene sheet.

DINGEMANS T, SAMULSKI E T, SI Y

Making intercalation electrode for electrochemical cell, involves forming graphene planes perpendicular to a current collector substrate and coextensive with electrode surface region by chemical vapor deposition using carbon gas composition.

LEV L C, SACHDEV A K, VERBRUGGE M W, XIAO X, XIAO Y, SHAW X

Suspending graphene membrane across gap in support structure, comprises attaching graphene to substrate, attaching pre-fabricated support structure having the gap to graphene, and separating graphene and structure from substrate.

MEYER J C, ZETTL A K

Functionalized graphene sheets useful in polymer composite and resin have specific carbon to oxygen molar ratio.

AKSAY I A, KORKUT S, MILIUS D L, PRUDHOMME R K, PRUD HOMME R K, AKSAY I, MILIUS D, PRUDHOMME R, PRUD H R K, PRUD APOS HOMME R K

Electrochemical device used for hybrid power system, has chemically modified graphene sheet which is arranged in at least portion of chemically modified graphene electrode.

RUOFF R S, STOLLER M

Forming a single or few layer graphene film, useful as e.g. transistor device, comprises forming graphene film on substrate, coating film with protective support layer and etching surface of substrate to release film and protective layer.

CECCO A, DRESSELHAUS M, KONG J, CECCO A R, DRESSELHAUS M S