国家/地区 美国（21） 中国（16） 韩国（14） 世界知识产权组织（14） 欧洲专利局（EPO）（7） 日本（6） 西班牙（3） 台湾（3）
IPC部 B（26）
IPC大类 C23（26）
IPC小类 C23C（24） B82Y（20） C01B（18）
B32B（13） H01L（9） B01J（8）
C30B（5） H01B（5） B05D（3）
B82B（3） B21B（2） C09D（2）
C22C（2） C22F（2） C23F（2）
IPC B82Y030/00（15） B82Y040/00（15） C01B031/02（15）
C23C016/26（15） C01B031/04（12） C01B032/186（4）
H01B001/04（4） B32B009/04（3） B32B037/02（3）
B32B038/10（3） B32B043/00（3） B82B003/00（3）
C30B029/02（3） B01J019/18（2） B01J023/755（2）
发明人 CHOI J（3） KIM H（3） CHIBA G（2）
CHIBA Y（2） CHOI J Y（2） GUO H（2）
HONG B H（2） LEI T（2） SHIN H（2）
SHIN H J（2） SONG Y（2） SONG Y I（2）
WOO Y（2） WOO Y S（2） YOON S（2）
公开年 2012（26）
申请年 2012（26）
专利权人 HANWHA TECHW.（4） SAMSUNG TECH.（4） SAMSUNG ELEC.（3） HANWHA AEROS.（2）
JX NIPPON MI.（2） NIPPON MININ.（2） NIPPON MININ.（2） UNIV SUNGKYU.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV XIDIAN（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Method of disposing graphene thin film over target receiving substrate involves hetero-epitaxially growing graphene thin film on catalyst thin film containing a metal and disposing graphene thin film and catalyst thin film.

VEERASAMY V S

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Method for forming graphene pattern using exfoliation technique, involves selectively peeling graphene layer by polymer stamp, and forming raised pattern on rotator polymer stamp, where polymer stamp is made of polydimethylsiloxane.

AN K, CHUNG T, JUNG D, KIM C G, KIM H S, LEE S S, LEE Y K, AN K S, CHUNG T M, LEE S, LI Y, KIM C, KIM H

Graphene structure used in high power pulse magnetron sputtering preparation, has upper layer that is provided with amorphous carbon film and lower layer that is provided with multilayer graphene film.

KE P, WANG A, ZHANG X

Manufacture of graphene for e.g. touch screen, involves loading substrate having catalyst layer into chamber, evaporating, supplying carbon source gas, heating in primary portion of catalyst layer, dissolving carbon component, and cooling.

JEON S, LEE J, OH S, RAN O S, SEOP L J, U JEON S, JIN S L, SE R O, SEOK W J

Making crystalline graphene, used e.g. in electronic device, comprises e.g. performing first thermal treatment by supplying heat to inorganic substrate, and introducing vapor carbon supply source into reactor during first thermal treatment.

SHIN H, CHOI J, WOO Y, YOON S, SHIN H J, CHOI J Y, WOO Y S, YOON S M

Making doped single graphene sheets involves oxidizing graphite to non-electrically conductive graphite oxide followed by exfoliating in solvent, depositing metal or metal oxides, and reducing to electrically conductive graphene sheets.

DO I, DRZAL L T, MONGA A

Electrical conductor used in e.g. electrical connector comprises metallic substrate having surface, and coating containing graphene/carbon nanotube coating or blended graphene/carbon nanotube coating deposited on the surface.

HEMOND J H B, LOYD A N, MARTENS R I, WANG J, LLOYD A N, HERMOND J H B