国家/地区 韩国（115） 美国（67） 日本（61） 世界知识产权组织（51） 中国（42） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（17） 印度（6） 加拿大（5） 香港（2） 墨西哥（2） 俄罗斯（2） 新加坡（2）
IPC部 C（186） B（105） H（90）
G（9） D（2）
IPC大类 C01（186） H01（88） B82（62）
B01（38） C23（20） C08（15）
B32（12） C25（10） B41（7）
H05（7） B05（6） C07（6）
C30（6） C09（5） G01（5）
IPC小类 C01B（186） H01L（46） B82Y（44）
B01J（37） B82B（24） H01B（24）
H01M（20） C23C（19） H01G（13）
B32B（12） C08J（9） B41M（7）
C25D（7） B05D（6） C01G（6）
IPC C01B031/02（186）
发明人 KIM T（9） MOON J（7） JUNG M（6）
LEE J（6） BYUNG Y S（5） CHOI M（5）
HAN Y J（5） HYOUNG S S（5） JUNG H L（5）
KIL S C（5） LEE H（5） LEE J S（5）
LEE S H（5） NAG E C（5） CHENG Q（4）
公开年 2014（186）
申请年 2013（186）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（11） UNIV SUNGKYU.（11） LG ELECTRONI.（8） SNU R DB FO.（7）
UNIST ACADIN.（7） SAMSUNG TECH.（6） TOSHIBA KK（6） DOKURITSU GY.（5）
HANWHA TECHW.（5） KOREA INST S.（5） TOSHIBA SAMS.（5） HANWHA AEROS.（4）
INHA IND PAR.（4） NAT INST ADV.（4） NAT INST MAT.（4） NIPPON MININ.（4）
UNIV KYUNGHE.（4） BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） DOKURITSU GY.（3）

Decomposing organic contaminants e.g. methyl red in wastewater, by mixing self-assembled graphene oxide suspension having negative charge and iron-amino clay suspension having positive charge and then decomposing by iron-hydrogen peroxide.

LEE Y C, JEON T J, HUH Y S

Substrate for electronic apparatus e.g. electronic device comprises nitride semiconductor layer which is provided on upper surface of silicon substrate, silicon carbide layer, and graphene layer.

SAI J, FUKIDOME H, SUEMITSU M, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, planarizing upper surface of silicon carbide layer, and forming graphene layer in upper surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Production of graphene hollow structure body for graphene spherical hollow body integrated electrode and graphene spherical hollow body integrated capacitor involves mixing and dispersing polymer molding and graphene oxide powder.

SHAO Q G, QIN L C, TANG J

Graphene powder used as conductive support agent of lithium-ion battery electrode, is formed by adhering dispersing agent having quinophthalone skeleton and polar group to graphene surface.

SHIGETA K, KUBOTA Y

Structure, useful for forming graphene layer useful in e.g. high-speed semiconductor, comprises highly oriented pyrolytic graphite with an exposed surface, metal layer, coating layer, and support attached to surface of metal layer.

LEE Y S, KIM J H

Defect repairing method of graphene film e.g. planar crystalline carbon film, involves irradiating laser by giving carbon source to portion identified as defect portion of film, and restoring local defect of film.

OKIKAWA Y, ISHIHARA M, OMURA H, HASEGAWA M

Doping of graphene used for preparing doped graphene, involves forming dopant using graphene flakes, and doping graphene using dopant.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M

Making a three-dimensional carbon structure used in e.g. secondary battery, by forming metal catalyst layer on support surface, forming graphene on catalyst layer, forming carbon nanowires on graphene, and separating structure from surface.

JEONG N J, HWANG K S, KIM C S, JWA E J, PARK J S, KIM D K