国家/地区 台湾（75）
IPC部 H（75）
IPC大类 H01（64） C01（22） H05（19）
C09（17） C08（15） B82（7）
C23（7） B32（6） A61（5）
B29（4） C04（2） C07（2）
F28（2） G03（2） G06（2）
IPC小类 H01L（35） C01B（22） H05K（17）
H01M（15） H01B（12） C08K（11）
C08L（11） C09D（8） B82Y（7）
C23C（7） B32B（6） C08J（6）
C09J（6） C09K（6） C08F（4）
IPC C08K003/04（10） H01M004/62（9） H05K007/20（9）
C01B032/182（7） H01L021/02（7） H01L023/373（7）
H01L023/532（7） H01M004/38（7） H01B005/14（6）
H01L021/768（6） H01L029/16（6） H01L029/66（6）
H01M004/36（6） H01M010/052（6） H01M010/0525（6）
发明人 HE M（5） HUANG C（5） HUANG H（5）
CHEN Y（3） HYUN L J（3） ICHIKAWA I（3）
IMSUNGWOO（3） ISAO I（3） JEON Y M（3）
JIN N（3） LEE H S（3） LI J（3）
LI X（3） LIM J（3） LIM J C（3）
公开年 2022（75）
申请年 2021（75）
专利权人 IND TECHNOLO.（5） CTRON ADVANC.（4） SAMSUNG ELEC.（4） TAIWAN SEMIC.（4）
DAEJOO ELECT.（3） LINTEC CORP（3） AMAZING COOL.（2） APPLIED MATE.（2）
AVARY HOLDIN.（2） HON HAI PREC.（2） PARAGRAF LTD（2） QINGDING PRE.（2）
QINGDING PRE.（2） SHINETSU CHE.（2） UNIV NAT TAI.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Method for manufacturing radiating block of circuit board, involves providing metal block, arranging graphene layer on outer surface of aluminum block and inner side wall of heat-conducting hole to obtain heat-radiating block.

CHEN Y

Over-current protection device comprises first electrode layer, second electrode layer and positive temperature coefficient material layer laminated between the first and second electrode layers.

CHU F H, CHANG Y T, DONG Z Y, CHANG Y H, YEN H C, ZHU F, DONG Z, ZHANG Y, YAN X

Heat dissipation structure for electronic device e.g. mobile phone, has heat dissipation module whose side protrudes from top surface of heat generating element, and does not contact with surface of carrier.

HE M, HUANG H, HUANG C

Fluoropolymer binder for lithium-ion battery, comprises mixture of phase of polytetrafluoroethylene formed of primary polytetrafluoroethylene particles and phase of polyvinylidene fluoride formed of primary polyvinylidene fluoride particles.

BONNET A, FINE T

Composite substrate for gallium nitride microwave power components, has silicon carbide layer formed on graphene layer, silicon substrate formed on carbide and insulating layers, and another silicon substrate arranged on insulating layer.

TSENG C, LI W

Circuit board structure, has dielectric layer provided on circuit layer, and build-up circuit layer exposing non-conductive seed layer region and electrically connected to pads through conductive via and conductive seed layer region.

CHEN K, KUO C, CHEN G, GUO J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing photoluminescence material involves placing plastic piece into working solution which is water, applying micro-plasma onto surface of the working solution, and degrading the plastic piece into multiple smaller molecular and graphene quantum dot.

CHIANG W, WENG R, WENG R J

Manufacturing method of power transistor, involves implanting boron ions on exposed indium gallium phosphide layer to form emitter.

TSENG H, CHEN M Y, CAI K, SUN Y, LI M

Electrostatic clamp e.g. gripper, for clamping object e.g. patterning device, during lithographic patterning, has electro-adhesive layer that is configured to electrically change adhesion to object to clamp and unclamp object.

MAKARENKO K S, VAN DE KERKHOF M A, DOLGOV A