国家/地区 中国（35）
IPC部 C（35） B（17） H（16）
G（2）
IPC大类 C23（35）
IPC小类 C23C（34） C01B（19） B82Y（15）
H01L（14） B05D（7） B32B（6）
H01B（6） C30B（5） B82B（4）
C25D（3） B01J（2） B22F（2）
B44C（2） C23F（2） H01M（2）
IPC C23C016/26（19） C01B031/02（16） C01B031/04（14）
B82Y030/00（13） B82Y040/00（12） C23C016/44（5）
C30B029/02（5） B05D005/12（3） B82B003/00（3）
C01B031/00（3） C23C014/16（3） C23C014/34（3）
C23C016/02（3） C23C026/00（3） C23C028/00（3）
发明人 VEERASAMY V（4） VEERASAMY V S（4） CHUNG H（3）
CHUNG H J（3） HEO J（3） HEO J S（3）
LIU J（3） RAO Z（3） SEO S（3）
SEO S A（3） WOO Y（3） WOO Y S（3）
XIA Y（3） ZHANG X（3） CHEN J（2）
公开年 2011（35）
申请年 2010（18）  2011（13）  2009（4） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） SAMSUNG ELEC.（4）
INST MICROEL.（3） JIAXING MICR.（3） UNIV FUDAN（2） UNIV SUNGKYU.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2） VEERASAMY V .（2）

Apparatus for sensing photons comprises photon sensing layers, which consists of graphene, arranged on top of each other and intermediate layer between each adjacent sensing layers.

VOUTILAINEN M, ROUVALA M, PASANEN P

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Method of growing graphene directly on substrate involves placing substrate material into plasma-enriched chemical vapor phase deposition cavity, vacuumizing, heating substrate, and supplying carbureted hydrogen gas and other inert gas.

SHI D, ZHANG G, ZHANG L

Resin plating comprises forming a graphene thin layer on a resin substrate and electroplating the resin substrate having the graphene thin layer formed on it.

BAE A H, SON S I, NAM J D, LEE J H, HWANG T S, OH J S, LEE H, EAH H B, SANG I S, JAE D N, JOON S O, JUN H L, TAE S H, HWANG T, LEE J, NAN J, PAE A, SUN S, OU J

New nanoparticles comprising a component comprising a metal, a semimetal, a metal compound and a semimetal compound, and/or at least a coating comprising graphene, useful in electrochemical cells and super capacitors.

IVANOVICI S, YANG S, FENG X, MUELLEN K, BIN Y S, KLAUS M

Method for preparing single-layer and multi-layer graphene from chemical gas phase deposition, involves pouring carbon gas to vacuum cavity and maintaining flow rate of hydrogen gas, and obtaining metal substrate deposited with graphene.

QU Y

Preparation of nano gold/graphene oxide composite material used as conductive material, involves diffusing graphene oxide in water, and directly reducing chloroauric acid by in-situ method to form uniformly arranged nano gold particles.

DING S, GAO B, SUN Y, ZHU W

Preparation of graphene film involves obtaining electroplated copper substrate, growing graphene on substrate by heating under normal pressure by chemical vapor deposition using methane and mixed gas of argon and hydrogen and cooling.

LI T, WANG W, WANG Y, ZHOU Y

Preparation of graphene material involves plating nickel membrane on substrate, adjusting optical path and parameter of laser, introducing argon gas and hydrogen gas, opening the laser, and introducing methane as reaction precursor source.

FANG F, WANG X, CUI Y, WANG F, LI J, WEI Z, FANG X, LUO T

Preparation of sulfur-doped graphene thin film by heating and preprocessing metal substrate in atmosphere of reduction protective gas, vacuuming container, and introducing mixed liquid of carbon source and sulfur source.

GAO H