国家/地区 欧洲专利局（EPO）（98）
IPC部 C（98）
IPC大类 C23（98）
IPC小类 C23C（98） C01B（84） B82Y（34）
H01L（34） B32B（24） C30B（16）
B05D（11） H01M（11） B01J（10）
H01B（10） B82B（7） C25D（5）
G01N（5） C03C（4） C09D（4）
IPC C23C016/26（98）
发明人 LEE E（4） LI Y（4） SHIN H（4）
SHIN H J（4） BYUN K（3） BYUN K E（3）
COJOCARU C（3） LIU X（3） OZYILMAZ B（3）
SHEN X（3） SHIN K（3） SHIN K W（3）
TEO K B K（3） BEDWORTH P V（2） BOINTON T H（2）
公开年 2015（17） 2013（15） 2021（13） 2017（12） 2016（8） 2012（7） 2022（6） 2011（5） 2014（3） 2018（3） 2020（3） 2010（2）
申请年 2013（15）  2014（10）  2016（10）  2012（9）  2015（9）  2017（8）  2020（8）  2021（8）  2011（7）  2019（4）  2010（3）  2008（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（6） COMMISSARIAT.（4） CORNING INC（4） UNIV SINGAPO.（4）
AIXTRON SE（3） CENT NAT REC.（3） ECOLE POLYTE.（3） BASF SE（2）
CEALTECH AS（2） COMMISSARIAT.（2） EV GROUP THA.（2） GRAPHENE SQU.（2）
HEIQ MATERIA.（2） ISIS INNOVAT.（2） LOCKHEED MAR.（2） MAX PLANCK G.（2）
POSTECH ACAD.（2） RIJKSUNIV LE.（2） SNU R DB FO.（2） UNIV CALIFOR.（2）

Visualizing distribution and intrinsic orientation of periodically spaced one-dimensional structures by depositing electrically conductive solid film of imaging material onto surface of two-dimensional material, providing polarization microscope, and imaging layered composite at acquisition angles.

AMADO E, KRESSLER J

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Use of protective graphene coating involves depositing graphene on substrate to produce composite, removing substrate or graphene, and depositing graphene membrane on glassy surface for providing protection for screen and display case of two or three dimensional artwork e.g. museum.

GALIOTIS C, ANAGNOSTOPOULOS G, PASTORE CARBONE M G, PATERAKIS G, KOTSIDI M, GORGOLIS G

Cathode active material e.g. for lithium secondary battery, comprises e.g. silicon-containing coating layer formed inside pores or on surfaces of carbon-based particles, and carbon coating layer formed on silicon-containing coating layer.

PARK G O, YOO S K, JANGDONGIL, CHUNG J H, JANG D I, ZHENG Z, ZHANG D, YU S, PARK G

Method for forming interconnect structure for semiconductor devices, involves forming carbon layer having bonding structure on first metal layer of substrate, and forming second metal layer of substrate electrically connected to first metal layer.

LEE Y, SHIN H, SHIN J, BYUN K, LEE W, AHN S, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LEE Y S, SHEN X, LI Y

Removing polymethylmethacrylate (PMMA) from graphene surface by subjecting PMMA layer to deep UV light irradiation, treating irradiated PMMA layer to remove PMMA layer and drying cleaned layer located on substrate in stream of nitrogen gas.

ALEXEEVA N, KASALYNAS I

Carrier substrate for transferring transfer layer from carrier substrate to product substrate, comprises carrier base substrate, protective layer, and transfer layer grown on protective layer.

BURGGRAF J, JUERGEN B

Method for transmitting a transmission layer from a substrate, such as graphene layer, to a carrier substrate, such as glass substrate and ceramic substrate, involves transmitting a graphene layer from substrate to carrier substrate.

MOKKAPATI V R, POVAZAY B, UHRMANN T, ULLMANN T, MOKKAPATI V R S S, SARMA M V R, THOMAS A

Preparing gas selective separation filter involves providing graphene membrane on sacrificial support layer, subjecting graphene membrane to transient pressurized ozone gas pulse, purging ozone, and cooling down ozone treated graphene membrane.

AGRAWAL K V, HUANG S, HSU K, AGRAWAL K, HWANG S, HUSH K, XU G

Seed layer for inducing nucleation to form layer of material used for fabricating semiconducting devices, comprises layer of two-dimensional monolayer amorphous material with disordered atomic structure to form electric potential wells for bonding adatoms to seed layer by van der Waals interaction.

OEZYILMAZ B, TOH C T, ABIDI I H, OJIYLMAZ B, TOH C, ZHUO Z, OZYILMAZ B