国家/地区 日本（76）
IPC部 C（76） B（44） H（42）
G（5）
IPC大类 C01（76）
IPC小类 C01B（76） B82Y（32） H01M（20）
H01L（19） C23C（15） B32B（11）
H01B（10） B01J（9） B05D（6）
C07C（6） B82B（5） C08L（5）
C02F（4） C08G（4） C25B（4）
IPC C01B031/02（69） C01B031/04（31） B82Y030/00（27）
B82Y040/00（21） C23C016/26（11） H01M004/62（8）
B32B009/00（7） C01B032/182（7） H01M004/583（7）
H01M004/587（7） C01B032/20（6） H01B013/00（6）
H01L029/06（6） H01M004/96（6） B05D005/12（5）
发明人 FENG X（4） MUELLEN K（4） MULLEN K（4）
NOMOTO K（4） BANDO M（3） GUO J（3）
GUO J W（3） HE X（3） KADONO K（3）
KIMURA N（3） KOBAYASHI T（3） LI J（3）
LI J J（3） LI W（3） REN J（3）
公开年 2013（76）
申请年 2012（76）
专利权人 SEMICONDUCTO.（7） PANASONIC CO.（6） BASF AG（4） BASF SE（4）
HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4） UNIV TSINGHU.（4） BASF CHINA C.（3）
DOKURITSU GY.（3） JX NIPPON MI.（3） MAX PLANCK G.（3） NIPPON TELEG.（3）
SONY CORP（3） UNIV NAGOYA（3） EMPIRE TECHN.（2） FUJI ELECTRI.（2）
FUJITSU LTD（2） HASHIMOTO K（2） ISLAND GIANT.（2） JAPAN SCI T.（2）

Manufacture of graphene structure used for electronic devices, such as field effect transistor of high mobility involves forming carbon and insulation film layer on base material and forming catalyst metal layer on insulation film layer.

EGAWA T, FUJITA K

Graphene structure for semiconductor device comprises substrate and graphene nano ribbon which is formed on the substrate and has predetermined width as prohibition body width as a semiconductor produces.

KATO T, HATAKEYAMA R

Manufacture of carbonized graphene composite for electrodes, involves adding depolarization material, manganese oxide, nickel hydroxide, or nitrogen carbide to carbon graphene obtained from e.g. timber, and molding into plate.

ANDO T, YAMADA M

Manufacture of graphene film used for e.g. gas barrier film, involves depositing graphene film on base material surface maintained at specified temperature and pressure by microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method.

TSUGAWA K, YAMADA T, HASEGAWA M

Graphene sheet water dispersion for graphene containing structure comprises water-soluble compound, graphene sheet, and aqueous solvent which has a 9,9-bis(substituted aryl) fluorene structure.

KAWASAKI S, SAKAMOTO H, ZAIMA H, ARIMA H

Manufacture of graphene oxide for forming graphene film, involves laser ablation of medium containing sulfuric acid and sulfonated graphite, adding nitric acid and oxidant to form suspension, and hydrolyzing sulfonated graphite.

ISAWA K, KOYANAGI M, MAKINO T, SHIBUYA A, IZAWA K

Gelatinizer for manufacture of metal nanoparticle and graphene comprises compound derived from amino acid and fatty acid.

DELBECQ F, ENDO H, KAWAI T

Manufacture of graphene used for manufacture of graphene junction, involves applying load to aggregated-form graphite particles, such that interlayer bonding of all graphite crystals of aggregated-form graphite particles is destroyed.

KOBAYASHI H

Copper foil for manufacture of graphene used for e.g. separator, has sum total of crystal grain boundary length below preset value after heating under preset conditions in atmosphere containing hydrogen and argon.

YAMAJI T

Formation of graphene film used for e.g. electronic materials for e.g. electronic device involves reduction process which heats metal film, graphene film growth process which heats heated metal film in mixed gas, and cooling process.

YOSHII S, NOZAWA K, MATSUKAWA N