国家/地区 韩国（75）
IPC部 C（75）
IPC大类 C23（75）
IPC小类 C23C（75） C01B（30） H01L（25）
H01M（13） B01J（9） B82Y（7）
B05D（6） C25D（6） H01J（6）
B22F（5） C09D（5） H01G（5）
B32B（4） C25B（4） C23F（3）
IPC C23C016/26（38） C23C016/02（16） H01L021/02（16）
C01B032/186（14） C23C016/455（13） C23C016/04（10）
C23C016/44（10） C01B032/194（9） C23C016/56（9）
H01M010/052（9） C23C016/50（8） H01M004/36（7）
H01M004/38（7） H01M004/62（7） B82Y040/00（6）
发明人 SHIN H（6） SHIN H J（6） BYUN K（5）
BYUN K E（5） LEE C（5） LEE C S（5）
IFUKU R（4） KIM H（4） LEE E（4）
LEE J（4） MATSUMOTO T（4） KIM J（3）
KIM S Y（3） KIM T（3） LEE H（3）
公开年 2021（75）
申请年 2020（47）  2021（14）  2019（13） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（7） UNIV SUNGKYU.（6） KOREA INST S.（5） TOKYO ELECTR.（4）
LAM RES CORP（3） SUNGJIN LOGI.（3） UNIST ULSAN .（3） AGENCY DEFEN.（2）
DAEJOO ELECT.（2） EV GROUP THA.（2） KUK IL GRAPH.（2） UNIV AJOU IN.（2）
UNIV CHONNAM.（2） UNIV SINGAPO.（2）

Selective deposition on dielectric layer comprises providing semiconductor substrate, selectively depositing graphene on exposed metal surface of metal layer of substrate, and selective depositing dielectrically-deposited material on layer.

NARKEVICIUTE I, VARADARAJAN B N, SHARMA K, NARKEBICHUDDER I

Method for forming film e.g. graphene film on substrate, involves supplying aromatic hydrocarbon gas having functional group, to substrate on which base film is formed, and activating aromatic hydrocarbon gas adsorbed on surface of base film by plasma of reaction gas containing rare gas.

MATSUMOTO T, IFUKU R

Producing octahedral transition metal dichalcogenides involves forming transition metal layer on substrate and injecting chalcogenide-containing gas onto the substrate together with plasma treatment.

VINIT K, KIM H U, LEE J, SEOK H, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H, CANADEVINIT

Anode current collector useful in lithium ion battery and supercapacitor, comprises aluminum conductive thin film, and graphene layer transferred to one surface of aluminum thin film.

YANG C M, KIM S Y, WEE J

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Multielement co-doped graphene quantum dots for e.g. supercapacitor electrode, comprise element doped by plasma treatment by placing graphene quantum dots doped with other element on moving stage that reciprocates, rotates, or vibrates in horizontal direction to uniformly plasma-treat quantum dots.

SHIM W, SIM Y, KIM J Y, MUN J H, HO J C, KIM S J

Silicon-based-carbon composite useful in cathode material of lithium secondary battery, comprises core-shell structure, where core includes e.g. silicon and magnesium silicate, and the shell includes first and second carbon layers.

HYUN L J, HUNSOO P, LEE S, HEE L, LIM J

Structure e.g. porous metal-coated structure used for e.g. catalytic application, comprises substrate comprising activated adsorbent material, and metal material deposited on substrate.

PEPIN P, ETHRIDGE K, THOMSON C, HOLBROOK B, ESRIDGE K

Preparing lithium metal and lithium alloy moldings for use as anodes in galvanic cells, by thermal decomposition of solution of pure metallic lithium in ammonia by overflowing inert gas at specified temperature and pressure.

WIETELMANN U, DAWIDOWSKI D, DIRK D

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H