国家/地区 台湾（130）
IPC部 C（130） H（84） B（71）
G（17） F（5） D（2）
IPC大类 C23（130）
IPC小类 C23C（120） C01B（84） H01L（56）
B82Y（41） B32B（31） H01B（19）
C30B（18） C23F（14） B01J（12）
B05D（12） H01M（12） B82B（11）
H01J（11） C03C（8） C25D（6）
IPC C23C016/26（64） C01B031/04（51） B82Y030/00（35）
B82Y040/00（32） C01B031/02（31） C01B032/186（27）
H01L021/02（22） C23C016/02（21） C23C014/06（19）
C23C016/455（17） C01B032/182（15） B32B009/00（14）
C23C016/56（12） H01L029/16（12） C01B032/194（11）
发明人 FAN S（12） JIANG K（10） LIN X（9）
FAN F Y（7） CHANG C（5） CHEN C（5）
CHIBA Y（5） TZENG Y（5） WANG J（5）
XIAO L（5） CHIBA G（4） CHIU P（4）
GUINEY I（4） HUANG J（4） HUANG Y（4）
公开年 2021（22） 2013（16） 2022（13） 2015（12） 2016（11） 2014（10） 2011（9） 2012（9） 2017（9） 2018（7） 2019（5） 2010（3） 2023（3）
申请年 2012（17）  2021（15）  2020（14）  2013（12）  2014（12）  2016（10）  2011（9）  2015（9）  2017（7）  2022（7）  2009（6）  2010（5）  2018（3）  2019（3） 
专利权人 HON HAI PREC.（13） HONGFUJIN PR.（13） UNIV TSINGHU.（13） NIPPON MININ.（7）
JX NIPPON MI.（6） UNIV NAT CHE.（6） APPLIED MATE.（5） LAM RES CORP（5）
UNIV TAIWAN .（5） BASF SE（4） CORNING INC（4） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） IND TECHNOLO.（4） NIPPON MININ.（4）
PARAGRAF LTD（4） FAN S（3） H HT CO LTD（3） INT BUSINESS.（3）

Producing food packaging barrier film used for consumers to clearly see content of packaged goods, involves providing base film, depositing inorganic laminated film on surface of base film, where inorganic laminated film includes at least one first and second inorganic material deposition layer.

CHEN C, TSAO C, LIAO T, LIAO T C, TSAO C C, CHEN C H, CHEN Z, CAO J, LIAO D

Fastener comprises body, interposer coated on body and comprising silicone, and adhesive copolymerized with organic resin, and outer coating layer comprising metal powder particles, nano-zinc particles, and graphene particles.

SHEN D, HUANG Y, ZHANG B, ZIYIN C

Forming dual damascene structure on semiconductor substrate, involves selectively depositing carbon layer on exposed metal surface.

PARBATANI A, VAN SCHRAVENDIJK B J, VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SRINIVASAN E, SHARMA K, KNARR R, SCHMITZ S, RAMANAN V, NOGAMI T, NGUYEN S V, HUANG H, SHOBHA H K, LI J, PEETHELA C B, EDELSTEIN D C

Processing substrates by providing semiconductor substrate, which comprises metal layer formed in dielectric layer and barrier layer between metal layer and dielectric layer, depositing graphene on exposed metal surface, depositing inhibitor layer and depositing dielectric material.

HAUSMANN D M, RAMNANI P G, SHARMA K, LEMAIRE P C, MAHOROWALA A P

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Acetylene fluid supply package for use in fabricating a semiconductor device, has pressure vessel, porous filler in the pressure vessel, improved solvent within the porous filler, where solvent solubilizing with acetylene absorbed within the improved solvent, improved solvent is triethyl phosphate.

HAN Y, CHUNG W, CHO Y, KANE W S, SONG X, SINHA A K, CHO Y J

Laminate used for electronic device such as display device, comprises substrate, layer containing compound having condensed polycyclic hydrocarbon structure, and layer containing conductive material.

NAOYA N, KAZUNORI T, NOSAKA N, TAKANASHI K

Depositing graphene layer on substrate in plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene at low temperatures, involves providing substrate within modular microwave plasma chamber, and flowing carbon source and hydrogen source into modular microwave plasma chamber.

KRAUS P A, NGUYEN H, MEBARKI B, WANG C, VALENCIA C, CHUA T C

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S