国家/地区 日本（40）
IPC部 C（40）
IPC大类 C01（36） H01（24） B82（22）
C23（13） B32（8） B05（7）
C08（7） C09（4） B29（3）
B44（3） C07（3） G01（3）
H05（3） B01（2） B22（2）
IPC小类 C01B（35） B82Y（19） H01L（15）
C23C（13） B32B（8） H01B（8）
B05D（7） B82B（6） C08K（5）
C08L（5） C08J（4） B29C（3）
B44C（3） H01J（3） H01M（3）
IPC C01B031/02（27） C01B031/04（20） B82Y030/00（16）
B82Y040/00（11） C23C016/26（10） B82B003/00（6）
H01B001/04（6） H01L029/786（6） B82Y099/00（5）
C08K003/04（5） H01L051/05（5） H01L051/30（5）
B05D003/00（4） B82B001/00（4） C01B031/00（4）
发明人 BAE S K（3） CHUNG H（3） CHUNG H J（3）
FAN F Y（3） FAN S（3） FUJII K（3）
HEO J（3） HEO J S（3） HONG B H（3）
JIANG K（3） SEO S（3） SEO S A（3）
WOO Y（3） WOO Y S（3） AHN J（2）
公开年 2011（40）
申请年 2010（40）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（5） UNIV SUNGKYU.（4） FUJI ELECTRI.（3） HON HAI PREC.（3）
HONGFUJIN PR.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） UNIV TSINGHU.（3） FUJITSU LTD（2） GRAPHENE SQU.（2）
HONG B H（2） KIM H K（2） POLIMERI EUR.（2） SUH K S（2）
UNIV TOHOKU（2） VERSALIS SPA（2）

Negative-electrode active material used for lithium ion secondary batteries, comprises short-length cup-stack type carbon nanotube having laminate of two or more cup type graphene sheets and cup type graphene sheets with open bottom.

SHIOZAKI S

Method of forming graphene film on silicon carbide substrate for electronic device materials involves planarizing surface of silicon carbide single crystal, washing and annealing in vacuum.

YAMAUCHI K, HATTORI A, ARIMA K, SANO Y

Graphene precursor compound for manufacturing nanographene structure, is obtained by heat-melting metallocene compound and compound having dibenzothiophene structure, and performing ligand exchange.

INOUE C, ENDO M, TAKEUCHI K

Formation of graphene used for semiconductor device, solar cell and flat panel display device, involves introducing carbon-type gas to surface vicinity of base material and heat processing surface of base material.

NAKASHIMA S, KATO S, UEHARA T, NAKANISHI K, MATSUMOTO M, FUKIDOME H, SUEMITSU M

Manufacturing graphene film used in manufacturing semiconductor device, involves forming catalyst metal layer containing carbon on substrate, and growing graphene film on formed metal layer using carbon containing gas.

IKEDA M, YAMAZAKI T

Manufacture of graphene film used as preform of carbon material, involves oxidizing graphite, sieving, dispersing graphite oxide remained on sieve in solvent, peeling of graphite oxide in layer form and coating liquid on substrate.

FUJII K

Pressure sensor for measuring hydraulic pressures, has transistor equipped with graphene layer as channel, and wire containing piezoelectric material and whose one side is connected on gate of transistor.

YAGISHITA Y

Making graphene sheet-carbon nanotube film composite structure involves applying dispersed solution including solvent and functionalized graphene sheet on surface of carbon nanotube film structure; and removing the solvent.

ZHANG L, JIANG K, ZHOU R, FAN S, ZHANG L N, ZHOU R F, FAN F Y

Apparatus used in sample-support for transmission electron microscope, comprises carbon nanotube film structure defining a pore, and functionalized graphene sheet located on surface of carbon nanotube film structure and covering the pore.

ZHANG L, JIANG K, ZHOU R, FAN S, ZHANG L N, ZHOU R F, FAN F Y

Manufacture of graphene film for photoelectron engineering device, involves preparing monocrystal substrate, providing monocrystalline catalyst layer, processing, heating gaseous carbon source and cooling.

FUJITA D, XU M S, JO A