国家/地区 美国（40）
IPC部 H（34） B（25） C（16）
G（6）
IPC大类 H01（34） B82（17） C01（13）
B01（7） B32（6） C23（5）
B29（2） B41（2） G01（2）
G03（2）
IPC小类 H01L（32） B82Y（15） C01B（13）
B32B（6） B01J（5） C23C（5）
H01B（4） B01D（2） B29C（2）
B41M（2） B82B（2） G01N（2）
G03F（2） H01J（2）
IPC H01L029/16（18） H01L029/78（14） H01L029/786（13）
H01L029/66（12） C01B031/02（11） H01L029/06（11）
H01L021/336（10） B82Y040/00（8） C01B031/04（8）
H01L021/02（8） B82Y099/00（6） H01L029/778（6）
H01L029/10（5） B32B009/00（4） B82Y010/00（4）
发明人 LEE J（13） LEE J H（13） CHUNG H（12）
HEO J（11） SEO D（11） CHOI J（9）
CHUNG H J（9） PARK S（9） PARK S J（9）
BYUN K（8） BYUN K E（8） HEO J S（8）
SONG H（8） SONG H J（8） LEE C（7）
公开年 2014（28） 2013（11）
申请年 2013（40）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（40）

Graphene device, includes gate electrode layer which is formed on gate insulation layer and third electrode layer formed on second portion of graphene layer.

SEO D, KIM H J, YOO I K, LEE M J, CHO S H, KIM H, YOO I, LEE M, CHO S

Hydrogen treated graphene surface having specified band gap and hole mobility.

HONG J I, SON J Y, HONG J, SON J, SUN Z

Manufacture of graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite for forming structure, involves depositing metal-containing material on graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite and irradiating electron beam on structure.

SHIM J, JEON T, EOM K, LEE D, SHIM J Y, JEON T H, EOM K S, LEE D H

Manufacture of graphene laminated structure used for electronic device, involves plasma-treating surface of hexagonal boron nitride sheet, depositing hexagonal boron nitride sheet on graphene sheet, and forming insulating layer.

KIM S, HAN S, HAN S A, KIM S W

Composite laminate for thermoelectric laminate used in thermoelectric device, comprises graphene and thermoelectric inorganic material containing single crystal having hexagonal crystal system.

RYU C, HONG S, KIM W, BAIK S, LEE S, CHOI J, BAIK S H, HONG S H, KIM W Y, LEE S H, RYU C J

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Photomask has anti-contamination layer that is provided with graphene layer, is configured to contact with top surfaces of patterns, and is spaced apart from substrate between the patterns.

KIM M J, LEE D, KIM S

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Electronic device e.g. field effect transistor (FET) has graphene that directly contacts area of semiconductor layer, and metal layer on graphene.

BYUN K, PARK S, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J, BYUN K E, PARK S J, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S