国家/地区 中国（100） 美国（56） 韩国（47） 世界知识产权组织（38） 日本（26） 欧洲专利局（EPO）（22） 台湾（14） 印度（7） 加拿大（6） 俄罗斯（6） 德国（5） 英国（5） 澳大利亚（4） 法国（2）
IPC部 C（169） B（61） H（61）
G（12） F（6） A（3）
D（2）
IPC大类 C23（169） H01（55） C01（46）
B82（24） C25（24） C09（16）
C22（14） B01（13） B05（12）
B22（12） G01（8） C08（7）
C30（7） H05（7） B32（5）
IPC小类 C23C（169）
IPC C23C016/26（60） C23C016/02（27） B82Y030/00（19）
B82Y040/00（19） C01B032/186（19） C01B032/194（17）
C23C016/455（17） H01L021/02（15） C23C014/06（14）
C23C028/00（12） C23C016/56（11） C23C016/44（10）
C23C016/52（10） C23C016/04（9） C23C016/34（9）
发明人 LU Y（7） ZHANG J（7） BI C（6）
LIU Z（6） ZHAO Y（5） GAO X（4）
LIU B（4） PENG H（4） SHIN H（4）
SHIN H J（4） WANG J（4） WANG L（4）
WANG Q（4） XU J（4） YANG X（4）
公开年 2021（169）
申请年 2020（169）
专利权人 BEIJING GRAP.（6） XI AN SPECIA.（6） SAMSUNG ELEC.（5） UNIV PEKING（4）
ESAULOV S K（3） ESAULOVA TS .（3） KOREA INST S.（3） NAT INST ADV.（3）
PARAGRAF LTD（3） QUANTUM ELEM.（3） SUNGJIN LOGI.（3） TOKYO ELECTR.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） YAZAKI CORP（3） BEIHAI HUIKE.（2） BEIJING INST.（2）
EV GROUP THA.（2） FUJIAN MATER.（2） HKC CO LTD（2） KLUEBER LUBR.（2）

Device for preparing graphene by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), has first region of deposition furnace that is provided with overlapped portion, and second polar plate that is connected to grounding end of plasma source.

LIU Z, WU Q, CAO F, WANG X, WANG K, YANG H, PENG H

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Multielement co-doped graphene quantum dots for e.g. supercapacitor electrode, comprise element doped by plasma treatment by placing graphene quantum dots doped with other element on moving stage that reciprocates, rotates, or vibrates in horizontal direction to uniformly plasma-treat quantum dots.

SHIM W, SIM Y, KIM J Y, MUN J H, HO J C, KIM S J

Silicon-based-carbon composite useful in cathode material of lithium secondary battery, comprises core-shell structure, where core includes e.g. silicon and magnesium silicate, and the shell includes first and second carbon layers.

HYUN L J, HUNSOO P, LEE S, HEE L, LIM J

Active element of electrochemical apparatus for producing electrical power and/or hydrogen, has coating of boron enhanced material which includes elements selected from carbon, graphite, graphene, nickel, tungsten, phosphorus, and copper.

MAGUIRE D, FERTMAN M

METHOD FOR PRODUCING HEAT-CONDUCTING COMPOSITE MATERIAL FROM POWDERS OF ALUMINIUM OR ALLOY THEREOF WITH GRAPHENE COATING.

ZHURAVLEV V V, GERASIMOV V F, CHERNYAEVA S O, EREMIN S A

Chemical vapor deposition device for preparing graphene film, has vacuum monitoring unit for controlling and detecting vacuum degree of reaction unit, and carbon source feeding unit comprising atomizer and vaporizer.

GAO X, SHAN J, LIU B, ZHENG K, GU W

Chemical vapor deposition device for realizing continuous growth of graphene film on surface of graphene glass, comprises reaction unit for generating thin film on substrate by chemical vapor deposition reaction, and bearing panel.

GAO X, ZHENG K, LIU B, GU W

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H

Preparing clean double-layer and few-layer graphene film, comprises placing substrate in atmosphere containing first oxidizing gas, annealing, placing substrate in reaction mixed gas containing reducing gas, a carbon source and a second oxidation gas, and heating to growth temperature.

LI G, ZHANG Y, LIU X, ZHANG M, GAO X, ZHANG J, PENG H, LIU Z