国家/地区 美国（21） 韩国（20） 中国（6） 欧洲专利局（EPO）（6） 日本（4） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（21） C（10） B（6）
G（2）
IPC大类 H01（21） C01（10） B82（4）
C23（2） G03（2）
IPC小类 H01L（19） C01B（10） B82Y（3）
H01B（3） C23C（2） G03F（2）
H01M（2）
IPC H01L029/16（12） C01B031/04（9） H01L029/786（7）
H01L029/66（5） H01L029/78（5） H01L021/02（4）
H01B001/04（3） H01L021/027（3） H01L021/336（3）
H01L021/768（3） H01L023/532（3） H01L027/092（3）
H01L027/12（3） H01L029/06（3） B82Y030/00（2）
发明人 PARK S（11） PARK S J（10） SHIN H（9）
SHIN H J（9） LEE J（8） KIM S（6）
KIM S W（5） LEE J H（5） LEE C（4）
CHO Y（3） CHO Y C（3） HEO J（3）
KIM H（3） LEE K（3） SEOL M（3）
公开年 2016（12） 2015（8） 2017（3）
申请年 2015（23）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（23）

Two-dimensional material hard mask for manufacturing electronic device e.g. capacitor, has hydrogen, oxygen and two-dimensional material layer with layered crystalline structure, and carbon structure includes graphene sheets.

SHIN K, SEOL M, SHIN H, KIM S, PARK S, SHIN K W, SEOL M S, SHIN H J, KIM S W, PARK S J

Direct growing of graphene involves arranging substrate in chamber having target surface on which graphene is to be grown, feeding catalyst gas containing carbon-containing compound, and growing graphene layer on target surface.

LEE J H, SHIN H J, WHANG D M

Semiconductor memory device e.g. three-dimensional nonvolatile memory device in personal digital assistants (PDA), has oxide semiconductor pattern which is connected to graphene layer through gate electrodes.

KIM T S, KANG J, OH K, JANG T S

Anode material for secondary battery used in electronic device has graphene foam structure that includes graphene frames connected to each other, and nanostructures in pores of graphene foam structure.

SHIN H, LEE D, PARK S, SHIN H J, LEE D W, PARK S J

Hardmask composition used for forming pattern, comprises several graphene nanoparticles having size of preset range, and solvent.

SHIN H, KIM S, SEOL M, PARK S, CHO Y, SHIN H J, KIM S W, SEOL M S, PARK S J, CHO Y C, XUE M, ZHAO L

Hardmask composition for pattern formation comprises a set of graphene nanosheets, each being doped with boron and/or nitrogen, and a solvent.

SEOL M, KIM S, SHIN H, PARK S, CHO Y, SEOL M S, KIM S W, SHIN H J, PARK S J, CHO Y C

Layer structure for electronic device, has material layers which are on sides of diffusion barrier layer and diffusion barrier layer includes nano-crystalline graphene layer.

SONG H, NAM S, CHO Y, PARK S, SHIN H, LEE J, SONG H J, NAM S G, CHO Y C, PARK S J, SHIN H J, LEE J H

Manufacture method of ultra-thin inorganic semiconductor film, involves forming ultra-thin inorganic semiconductor film on amorphous graphene layer, and transferring ultra-thin inorganic semiconductor film to target substrate.

JOO W, HWANG S, JOO W J, HWANG S W

Multi-functional semiconductor device i.e. FET, for electronic system in electronic industry, has active pattern comprising buffer pattern on substrate, and doped pattern including graphene injected with impurity.

CANTORO M, WU Z, BHUWALKA K, KIM S, MAEDA S

Graphene structure has graphene layer which is provided on substrate, and is included with several convex portions of hollow structure.

KU J, KO W, KIM H, KU J Y, KO W H, KIM H W