国家/地区 美国（65） 韩国（55） 中国（21） 欧洲专利局（EPO）（16） 日本（5） 世界知识产权组织（4）
IPC部 H（62） B（27） C（25）
G（8）
IPC大类 H01（60） C01（20） B82（18）
C23（10） G01（6） B23（4）
H05（4） B32（3） C25（3）
B29（2） B44（2）
IPC小类 H01L（56） C01B（20） B82Y（16）
C23C（10） H01B（6） B23K（4）
B32B（3） C25D（3） G01N（3）
B29C（2） B44C（2） B82B（2）
G01J（2） H01M（2） H01S（2）
IPC H01L029/16（28） H01L029/78（25） H01L021/336（17）
H01L029/66（16） H01L029/786（15） C01B031/04（11）
H01L021/02（11） H01L029/06（10） H01L029/10（10）
C01B031/02（9） H01L029/778（9） B82Y040/00（8）
H01L021/768（8） H01L023/532（8） C23C016/26（7）
发明人 LEE J（66）
公开年 2014（15） 2015（9） 2013（7） 2020（5） 2023（5） 2011（4） 2016（4） 2017（4） 2022（4） 2012（3） 2021（3） 2018（2）
申请年 2013（13）  2014（9）  2015（8）  2022（6）  2012（5）  2021（5）  2010（4）  2011（4）  2016（4）  2020（4）  2017（2）  2019（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（66）

Metal particles used in adhesive paste or solder paste for composite bonding structure for semiconductor device, comprises core including metal and shell on surface of core, where shell comprises metal and nanoparticles.

CHU K, LEE J, JUNGHOON L, CHU K M

Substrate processing apparatus for manufacturing semiconductor device, comprises substrate support to support multiple substrates such that substrates are on substrate support, chamber sidewall surrounding side surface of substrate support, and upper plate having plate portions on substrate support.

OH S, AN S, LEE J, JEONG G, JUNG K O, LEE J H, AHN S J, OH S R

Electronic device has substrate having channel between source and drain, gate electrode and film structure with first ferroelectric layer, crystallization barrier layer and second ferroelectric layer sequentially on channel, where average sizes of crystal grains of ferroelectric layers, is preset.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, LI Z, LI Y, XU Z

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Semiconductor devices with improved electrical characteristics e.g. integrated circuits including metal-oxide-semiconductor field effect transistors, has substrate, first interlayer insulating layer on substrate, lower interconnection line in first insulating layer, and upper interconnection line.

JUNG E, YOO S, KIM R, KIM K, LEE J

Photodetector for use in image sensor, comprises first electrode, collector layer on first electrode, tunnel barrier layer on collector layer, graphene layer on tunnel barrier layer, emitter layer on graphene layer, and second electrode on emitter layer comprising second semiconductor material.

SHIN H, KIM H, LEE J, JO S

Hybrid bonding structure for manufacturing semiconductor device for electronic device, comprises solder ball and solder paste bonded to solder ball, where solder paste includes transient liquid phase including core and shell on surface of core.

CHU K, SONG B, LEE J

Hybrid bonding structure for use in semiconductor device, comprises core and shell configured to form intermetallic compound in response to transient liquid phase.

LEE J, SONG B, CHU K, CHU K M, JUNGHOON L, LI Z, JOO G

Wearable electronic device for use as glasses, for visually recognizing surrounding objects or environments, has lens frame including thermally conductive material, and transparent conductive wire connected to thermally conductive material.

LEE J, CHOI C, JEUNG Y, KEUN L J, CHOI C S, CHUNG Y H

Layer structure for use in electronic device e.g. memory device, has insulating layer for covering outside surface of diffusion barrier and conductive material layer, where edge of barrier layer is aligned with edge of material layer.

LEE J, SHIN H, PARK S, CHO Y, NAM S, SONG H