国家/地区 美国（42） 韩国（34） 中国（16） 日本（13） 欧洲专利局（EPO）（4）
IPC部 H（40） B（21） C（10）
G（3）
IPC大类 H01（40） B82（19） C01（9）
H03（4） B32（3） C23（3）
G11（2）
IPC小类 H01L（39） B82Y（17） C01B（9）
B32B（3） B82B（3） C23C（3）
H03K（3） G11C（2） H01B（2）
IPC H01L029/78（24） H01L029/786（20） H01L021/336（18）
H01L029/16（17） H01L029/06（13） H01L029/66（12）
H01L029/10（9） H01L029/778（9） B82Y099/00（8）
H01L051/05（8） B82Y040/00（7） C01B031/02（7）
H01L029/772（7） B82Y010/00（6） B82Y030/00（6）
发明人 CHUNG H（42）
公开年 2014（11） 2012（10） 2013（8） 2011（7） 2009（2） 2015（2）
申请年 2011（12）  2013（12）  2010（6）  2014（4）  2012（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（40） CHUNG H（5） UNIV SEOUL N.（5） HEO J（4）
SNU R DB FO.（4） BYUN K（3） PARK S（3） SEO D（3）
SNU R DB FOU.（3） SONG H（3） LEE J（2） SAMSUNG LED .（2）
SEO S（2） WOO Y（2）

Preparing mesenchymal-like stem cells used to treat e.g. lupus comprises inducing stem cell differentiation, loading and culturing the cystic embryoid bodies, passing cells through 3D culture unit and isolating stem cells.

HONG K S, CHUNG H M, KIM E Y, SHIN J M, KANG A R, SHIN J, KIM E, CHUNG H, HONG K

Method for fabricating field effect transistor, involves filling slit with potential barrier material is provided to induce Fowler-Nordheim tunneling through graphene channel layer when gate voltage is applied to gate electrode.

LEE J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, SHIN H, CHUNG H, HEO J

Method for fabricating graphene electronic device i.e. FET, of radio frequency device, involves exposing graphene layer in channel formation region by wet etching metal protection layer and metal layer using photoresist pattern.

HEO J, CHUNG H, SEO S, LEE S, YANG H

Graphene device has insulating layer which is provided between graphene layer and gate electrode, and semiconductor substrate is provided with tunable Schottky barrier formed by junction of source electrode, graphene layer and substrate.

CHUNG H, SEO D, PARK S, BYUN K, SONG H, YANG H, HEO J, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, YANG H J, HEO J S

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Graphene device used for electronic apparatus e.g. semiconductor device, consists of active layer, graphene layer, and electrode spaced apart from graphene layer and controls work function of graphene layer based on applied voltage.

SHIN H, BYUN K, SONG H, PARK S, SEO D, WOO Y, LEE D, LEE J, CHUNG H, HEO J, YOO I, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, PARK S J, WOO Y S, LEE D W, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S, YOO I K, JIN S H, EUN B G, JAE S H, JUN P S, SEOK S H, SEONG W Y, GYEONG Y I, UK L D, HO L J, JONG J H, SEONG H J, HUI D, HUH J, YEO R, JUNG H

Electronic device e.g. field effect transistor (FET) has graphene that directly contacts area of semiconductor layer, and metal layer on graphene.

BYUN K, PARK S, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J, BYUN K E, PARK S J, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Transistor i.e. field effect transistor, has channel made of graphene, where graphene includes structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms and graphene includes band gap.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J

Graphene switching device for use as diode has gate electrode which is provided on gate insulation layer arranged on graphene layer set on insulation layer.

LEE J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, SHIN H, CHUNG H, HEO J, LEE J H, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, SHIN H C, CHUNG H J, HEO J S