国家/地区 美国（98）
IPC部 H（61） C（60） B（46）
G（10） D（3） A（2）
IPC大类 H01（61） C01（41） B82（27）
B32（17） C23（16） C09（11）
B01（10） C08（9） B05（8）
C25（8） G02（5） C03（3）
C04（3） D06（3） H05（3）
IPC小类 H01L（47） C01B（41） B82Y（25）
B32B（17） C23C（13） B01J（8）
B05D（8） C25D（8） B82B（7）
C08J（7） C08K（7） H01B（7）
H01M（7） C09D（6） G02B（4）
IPC C01B031/04（21） H01L029/16（18） B82Y040/00（16）
H01L029/786（16） B82Y030/00（14） C01B031/02（14）
H01L029/66（12） B32B009/00（11） H01L029/78（11）
H01L021/336（8） H01L029/423（8） C01B032/182（7）
C08K003/04（7） C23C016/26（7） H01L021/768（7）
发明人 LEE S（98）
公开年 2012（14） 2019（14） 2014（12） 2022（10） 2016（8） 2021（8） 2017（7） 2023（5） 2010（4） 2013（4） 2015（4） 2011（3） 2018（2） 2020（2）
申请年 2018（13）  2014（12）  2011（11）  2021（10）  2013（9）  2020（8）  2022（7）  2015（6）  2009（5）  2016（5）  2010（4）  2017（4）  2012（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（33） KOREA INST S.（17） NANOTEK INST.（14） LEE S（10）
UNIV SEOUL N.（6） UNIV SUNGKYU.（6） LEE J（5） TAIWAN SEMIC.（5）
JANG B Z（3） LEE K（3） LEE W（3） LIN Y（3）
TAIWAN TEXTI.（3） UNIV TAIWAN .（3） ZHAMU A（3） AHN J（2）
HYUNDAI MOTO.（2） ILJIN MATERI.（2） INTEL CORP（2） KOREA RES IN.（2）

Fabricating semiconductor device involves loading substrate with structure having opening, into process chamber, forming two-dimensional material layers on upper surface of structure, to overlie opening and form air-gap, where upper portion of air-gap, is defined by two-dimensional material layers.

SHIN K, LEE S, YOON J, AN S, LI Z, YOUN J, AN X, AHN S J, SU Y J, LEE S Y, SHIN K W

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Integrated circuit structure for use in computing device, has graphene layer including first side coupled to conductor, and second side perpendicular to first side, and two-dimensional transition metal dichalcogenide layer coupled to base.

NAYLOR C, MAXEY K, OBRIEN K, DOROW C, LEE S, PENUMATCHA A V, AVCI U E, METZ M, CLENDENNING S B, METZ M V, OBRIEN K P, NAYLOR C H, KIRBY M, CHELSEA D, RISUDARAT, VERMA P A, ABSIYUGARI, BEE C S, ARFCHI U E

Interconnect structure for use in electronic device, has graphene-metal barrier including graphene layers and metal particles on grain boundary of each graphene layer and between graphene layers, and conductive layer formed on barrier.

LEE S, SHIN H, KIM H, KIM K, SHIN K

Interconnection structure, has graphene layer arranged between first graphene layer and second graphene layer, where second graphene layer is arranged between conductive feature and dielectric material.

SUI X, ZHANG X, HUANG X, YANG G, CAI C, LEE S, LI S, SHUE S, CHANG H, HUANG H, YANG K, TSAI C, LEE C

Integrated circuit structure for use in computer platform, has interconnect structure coupled to transistors, and graphene fixed over top surface of first metal, where first metal is copper, ruthenium cobalt and molybdenum or tungsten.

NAYLOR C, CHAWLA J, METZ M, KING S, CHEBIAM R, KOBRINSKY M, CLENDENNING S, LEE S, JEZEWSKI C, CHUGH S, BIELEFELD J, CHU S, KIM S

Flash memory device for use in neuromorphic computing system, has blocking insulating layer that is arranged on floating gate and has second dielectric constant greater than first and upper gate that is disposed on blocking insulation layer.

KWAK J, PARK E P, LEE S Y, KIM I H, PARK J K, KIM J, KIL P J, JUNG Y J, JEONG Y, PARK J, KIM I, LEE S, PARK E, KWAK J Y

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Photocatalyst for use as denitrification catalyst for removing nitrate ion, and processing water, comprises titanium dioxide particle comprising titanium dioxide, carbon material located on all or portion of surface of titanium dioxide particle and comprising graphene, reduced graphene oxide.

LEE S, CHOI W, CHOIWEONYONG, BI L S

Electronic component, e.g. multilayer capacitors, has body including stacked dielectric layers and internal electrodes, one of which includes particle including nickel and tin, and graphene layer, and external electrodes.

YOO W H, LEE E K, NA J Y, LEE S M, MOON L S, KWANG L E, YOU W H, LIU Y, LI E, LUO Z, LEE S