国家/地区 美国（42）
IPC部 H（37） B（16） C（16）
G（4） D（2）
IPC大类 H01（36） C01（13） B82（8）
B01（5） B05（4） B32（4）
G03（4） C09（3） C23（3）
H05（3） D01（2）
IPC小类 H01L（20） C01B（13） H01M（11）
B82Y（8） H01B（7） B05D（4）
B32B（4） C23C（3） G03G（3）
H05K（3） B01F（2） B01J（2）
C09K（2）
IPC H01L021/768（19） H01L023/532（19） H01L023/522（16）
H01L023/528（10） H01M004/36（8） B82Y030/00（7）
H01M004/62（7） H01M010/052（7） H01M010/0525（7）
C01B031/04（6） H01M004/38（6） H01B001/04（5）
H01M004/583（5） B82Y040/00（4） C01B032/182（4）
发明人 YANG S（42）
公开年 2021（12） 2015（10） 2022（6） 2023（3） 2011（2） 2016（2） 2020（2）
申请年 2021（8）  2019（7）  2014（6）  2022（6）  2015（4）  2013（3）  2011（2）  2020（2） 
专利权人 TAIWAN SEMIC.（19） LG CHEM CO L.（5） LG CHEM LTD（5） LG ENERGY SO.（3）
XEROX CORP（3） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2） MAXPLANCKGES.（2）
UNIV RICE WI.（2）

Semiconductor structure use in semiconductor integrated circuit industry, has dielectric layer formed on substrate, graphene conductive structure formed with graphene layer, and graphene layer extending direction parallel to inner side surface of dielectric layer.

LI M, LU M, LI S, ZHAN Y, YANG S, GUO Z, LEE M, CHAN Y, KUO T

Method for manufacturing semiconductor structure, involves forming graphene conductive structure on metal layer, where conductive graphene is filled in interconnection channel and electrically connected with contact piece.

LI M, YANG S, ZHAN Y, LI S, ZHONG J, YEH C, LEE M, CHAN Y, CHUNG C

Interconnection structure useful for semiconductor device, has more than one first conductive features disposed in first dielectric layer, where more than one first conductive features include first metal, and multiple graphene layers include second metal, which is different from first metal.

SUI X, LI M, YANG S, ZHAN Y, LI S, SHUE S, LEE M, CHAN Y

Semiconductor structure used in semiconductor device, has first graphene layer extending along top surface of the via; and metal line spanning graphene layer, where metal line includes line width decreasing as distance from graphene layer increases, and top surface of graphene layer is higher.

SHUE S, LEE M, YANG S

Intraconnection structure useful in a post-section process of an integrated circuit i.e. semiconductor device, has second portion of conductive layer adjacent to first portion of conductive layer, and dielectric material contacts first interface portion and third interface portion.

MU X, LI M, YANG S, ZHAN Y, LI S, SHUE S, LEE M, CHAN Y

Integrated chip comprises substrate, first conductive component above substrate and second conductive component, upper portion of substrate and transversely adjacent to first conductive component where concave hole transversely separating first conductive component and second conductive component.

SUI X, LI M, CHUNG C, LU M, YANG S, SHUE S, LEE M

Forming graphene layer between seed metal layer in integrated circuit, involves forming first contact feature in first dielectric layer over workpiece, forming second dielectric layer over first contact feature and first dielectric layer.

SHUE S, LEE M, YANG S

Composite modified layer attached to surface of current collector, used in anode-free lithium metal battery comprises lithiophilic nano-particle and polymer forming as polymer composite, in which surface of current collector comprises metal.

YANG S, HUANG C, JIANG S, SU W, HWANG B, HUANG B

Semiconductor structure, has graphene layer arranged over first and second conductive features, where sidewalls of second dielectric layer are defined by graphene layer, and metal capping layer is arranged between graphene layer and features.

SHUE S, CHEN H, LEE M, CHAN Y, YANG S

Graphene heat-conducting gasket wrapping process involves coating layer of colloid around graphene heat conducting gasket, and forming wrapping layer after curing colloid.

ZHOU X, DOU L, HE X, YANG S, SUN A, CAO Y