国家/地区 台湾（44）
IPC部 C（44）
IPC大类 C01（36） H01（21） B82（15）
C23（9） C09（6） H05（6）
B32（5） C08（5） C30（5）
C07（4） C25（4） B01（3）
C22（3） C04（2） G01（2）
IPC小类 C01B（36） B82Y（14） H01L（14）
C23C（7） C09K（6） B32B（5）
C30B（5） H01B（5） H01M（5）
B01J（3） C07C（3） C22C（3）
C25D（3） B82B（2） C04B（2）
IPC C01B031/04（33） C01B031/02（17） B82Y030/00（12）
B82Y040/00（11） C01B032/20（5） C01B032/182（4）
C09K005/14（4） C30B029/02（4） H01L021/02（4）
H01M004/133（4） H01M004/62（4） B32B009/00（3）
H01B013/00（3） H01L029/16（3） H01L029/78（3）
发明人 LIN Y（4） CAI J（2） CHIBA Y（2）
CHIBA YOSHIHIRO（2） CHIU P（2） CHIU P W（2）
FASEL R（2） FENG X（2） HINTERMANN T（2）
KAWABATA A（2） LEE S（2） LIN C（2）
LIN H（2） LIN I（2） LIN I C（2）
公开年 2014（44）
申请年 2013（44）
专利权人 BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） DOKURITSU GY.（3） ENERAGE INC（3）
MAX PLANCK G.（3） NAT INST ADV.（3） NIPPON MININ.（3） ACAD SINICA（2）
EMPIRE TECHN.（2） JX NIPPON MI.（2） LAIZUAN CO L.（2） METAL IND RE.（2）
RITEDIA CORP（2） SEKISUI CHEM.（2） SEKISUI CHEM.（2） TAIWAN TEXTI.（2）
UNIV NAT CHE.（2） UNIV NAT SUN.（2）

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Graphene suspension solution and its preparation method whose method comprises the dispersion solution preparation step, the addition step, the peeling step, and the separation step.

WU Y, XIE C, PENG C, SHUI C, ZHENG R

Method for forming a large-area graphene layer on a porous substrate.

YANG G J, YEN C, YANG G C C, YEN C H

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Labeling of defects in graphene layer for graphene film production involves providing substrate with surface partially covered by graphene layer and contacting substrate with indicator which selectively binds with areas exposed by defects.

YAGER T A, MILLER S A

Manufacturing graphene layer by performing sputtering process to form graphite layer on substrate, and performing lithography process on graphite layer for thinning graphite layer and making graphite layer thinned to become graphene layer.

HUANG C, CHIU S, CHUNG C, WU B, HUANG J, QIU S, ZHONG C, HUANG C H, CHIU S M, CHUNG C J, WU B H

Method for forming large-area graphene layer on porous substrate by chemical vapor deposition process.

YANG G J, YEN C, YANG G C C, YEN C H

Composition, useful for preparing a flat sheet article, comprises graphene nanoplatelets, ceramic fillers, and high temperature fibers.

HARNADEK M, FUKUSHIMA H, NARENDRA J, HARANDEK M

Manufacturing graphene film comprises annealing first substrate in furnace filled with mixed gas, moving substrate into growing chamber of molecular beam epitaxy system, heating carbon source and depositing it on surface of substrate.

LIN S, LIN M, LIN S Y, LIN M Y