国家/地区 中国（33） 美国（23） 韩国（22） 世界知识产权组织（17） 印度（10） 日本（3） 台湾（3） 英国（2）
IPC部 C（82）
IPC大类 H01（82） C01（34） C23（30）
C09（21） B82（12） C08（12）
C30（10） G01（5） H05（5）
H10（4） C04（3） C22（3）
A61（2） B23（2） B32（2）
IPC小类 H01L（82）
IPC H01L021/02（23） C23C016/26（19） C01B032/186（13）
C23C016/02（13） H01L021/768（11） H01L021/285（10）
B82Y030/00（8） B82Y040/00（8） C01B032/182（7）
C30B025/18（7） H01L023/532（7） C08J005/18（6）
C23C016/455（6） C30B029/40（6） C23C016/34（5）
发明人 LEE C（4） LEE C S（4） SHIN K（4）
SHIN K W（4） BYUN K（3） BYUN K E（3）
KIM K（3） KIM S（3） LI X（3）
TANG X（3） WANG J（3） WANG X（3）
AHN S J（2） AN S（2） CHEN Z（2）
公开年 2023（82）
申请年 2022（52）  2021（17）  2023（13） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） APPLIED MATE.（3） TCL TECHNOLO.（2） TOKYO ELECTR.（2）
UNIV IMAM AB.（2） UNIV SEOUL N.（2）

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Branched nano-wire array composite photoelectric film used for photo cathode protection, has composite heterojunction system cadmium sulfide/reduced graphene oxide quantum dots/titanium dioxide branched nanowire array composite photoelectric film.

HOU B, LU G, SUN M, JIANG X

Method for fabricating two-dimensional channel transistor involves growing hexagonal-boron nitride layer on substrate, selectively etching hexagonal-boron nitride layer by exposing hexagonal-boron nitride layer to sulfur hexafluoride plasma gas, and treating etched layer in potassium hydroxide.

SHRIVASTAVA M, RAWAT J S, MEERSHA A

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

High temperature furnace tube for use in semiconductor process, has supporting plate distributed with multiple layers for supporting multiple substrates, where each substrate is placed on each layer of supporting plate.

WANG H, ZHANG S, SHEN H, LV C, ZHOU D, KIM J, PARK J S, WANG J, JIA S, ZHANG X, KIM Y

Processing of photoelectric device e.g. quantum dot LED, involves providing film layer of photoelectric device, and processing surface of film layer with liquid carbon dioxide and/or solid carbon dioxide.

AO Z, ZHANG J, YAN Y, HONG J, YANG F, MO X

Preparing copper-clad aluminum composite welding strip used in interconnection strip, bus belt comprises surface cleaning of copper strip and aluminum rod, wrapping, multiple drawing of composite copper rod, and ultrasonic testing, drawing composite copper wire, heat annealing and tin plating.

DONG W, ZHANG W, GAO L, CHEN Q

Manufacturing semiconductor useful in filed of power conversion devices, electric and electronic systems, comprises e.g. implanting dopant into semiconductor, capping material into two-dimensional honeycomb, and heat treating.

KIMSEONGJUN, KANG M J, SHIN H K, LEE N S, JAE P Y, SUNG M J

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Method for generating white light using white light-emitting quantum dots, involves mixing naphthalene and heteroatom co-doping compound, fabricating heteroatom co-doped graphene quantum dots from obtained mixture, and generating white light using obtained white-light emitting quantum dots.

SAGAR V K, BISHT P B