国家/地区 中国（72） 美国（67） 韩国（39） 世界知识产权组织（38） 日本（27） 欧洲专利局（EPO）（19） 台湾（16） 印度（7） 德国（5） 加拿大（4） 英国（4） 澳大利亚（3） 法国（3）
IPC部 C（135）
IPC大类 C23（135）
IPC小类 C23C（135）
IPC C23C016/26（48） H01L021/02（30） C23C016/02（18）
B82Y030/00（17） B82Y040/00（17） C01B032/186（17）
C23C014/35（17） C23C016/455（17） H01M004/38（17）
H01M004/62（17） H01M004/36（16） C23C016/56（13）
H01M010/0525（12） C01B032/194（10） C23C014/06（10）
发明人 CHEN Y（5） YAN W（5） IFUKU R（4）
KUBO T（4） LIU X（4） MATSUMOTO T（4）
SHIMIZU T（4） SHIN H（4） SHIN H J（4）
WANG H（4） YUAN J（4） BYUN K（3）
BYUN K E（3） GLASS H（3） GUINEY I（3）
公开年 2021（135）
申请年 2020（61）  2021（59）  2019（15） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（6） TOKYO ELECTR.（5） YAZAKI CORP（5） UNIV SUNGKYU.（4）
ZHUZHOU FULL.（4） APPLIED MATE.（3） KOREA INST S.（3） LAM RES CORP（3）
NAT INST ADV.（3） PARAGRAF LTD（3） BEIHAI HUIKE.（2） DAEJOO ELECT.（2）
HKC CO LTD（2） UNIV SINGAPO.（2）

Composite copper foil structure used for copper-clad laminate and printed circuit board, has shell layer comprising N-layer graphene layer and M-layer metal copper layer alternately laminated with each other, and where surface of shell layer close to copper foil core layer is graphene layer.

GAO F, CAI L, ZHANG Q

Selective deposition on dielectric layer comprises providing semiconductor substrate, selectively depositing graphene on exposed metal surface of metal layer of substrate, and selective depositing dielectrically-deposited material on layer.

NARKEVICIUTE I, VARADARAJAN B N, SHARMA K, NARKEBICHUDDER I

Method for forming film e.g. graphene film on substrate, involves supplying aromatic hydrocarbon gas having functional group, to substrate on which base film is formed, and activating aromatic hydrocarbon gas adsorbed on surface of base film by plasma of reaction gas containing rare gas.

MATSUMOTO T, IFUKU R

Heat transferable biodegradable substrate used for manufacturing moldable interconnect devices (MIDs), comprises first layer comprising poly lactic acid (PLA) matrix dispersed with graphene oxide (GO) particles and second layer.

WINOWLIN J J T, ABHISHEK S, AMEENUDEEN Z, ADAM K M

Preparing two-dimensional compound semiconductor thin film useful in micro-nano electronic device, comprises placing insulating substrate with single-layer two-dimensional layered material/metal oxide film vertical heterostructure on surface in heating device, and introducing carrier gas.

SHI Z, ZHANG C, ZHU H, WU T, GAO B

Anode current collector useful in lithium ion battery and supercapacitor, comprises aluminum conductive thin film, and graphene layer transferred to one surface of aluminum thin film.

YANG C M, KIM S Y, WEE J

Loaded body for fuel cell, has sputtering source, pulse power supply, inert gas supply unit and nanocluster growth cell, where when nanoclusters are produced in vapor phase using nanocluster generating device, and nanoclusters are supported on carrier, each carriers loaded with nanoclusters.

NAKAJIMA A, TSUNOYAMA H, UNO M, GUNJI H, ANDO T, TSUKAMOTO K, TONA M, HIRATA N

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Multielement co-doped graphene quantum dots for e.g. supercapacitor electrode, comprise element doped by plasma treatment by placing graphene quantum dots doped with other element on moving stage that reciprocates, rotates, or vibrates in horizontal direction to uniformly plasma-treat quantum dots.

SHIM W, SIM Y, KIM J Y, MUN J H, HO J C, KIM S J

Silicon-based-carbon composite useful in cathode material of lithium secondary battery, comprises core-shell structure, where core includes e.g. silicon and magnesium silicate, and the shell includes first and second carbon layers.

HYUN L J, HUNSOO P, LEE S, HEE L, LIM J