国家/地区 美国（13） 韩国（8） 中国（7） 世界知识产权组织（7） 欧洲专利局（EPO）（4） 日本（4） 台湾（3） 法国（2）
IPC部 C（18）
IPC大类 C23（18）
IPC小类 C23C（14） C01B（12） H01L（10）
B32B（7） B05D（6） B82Y（4）
C23F（4） H01B（3） H01M（3）
B01J（2） B44C（2） H05K（2）
IPC C01B031/04（10） C01B031/02（7） C23C016/26（6）
H01L021/02（5） C23F001/00（4） B32B009/00（3）
B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C23C014/06（3）
C23C016/56（3） H01L021/20（3） B05D003/02（2）
B05D003/06（2） B05D003/10（2） B05D005/12（2）
发明人 CHOI J（2） HAQUE S（2） HAQUE S M（2）
LEHTINIEMI R（2） LEHTINIEMI R K（2） LI C（2）
LI X（2） WANG K（2） WEI J（2）
WU D（2） ZHU H（2）
公开年 2010（18）
申请年 2009（11）  2010（5）  2008（2） 
专利权人 NOKIA CORP（2） NOKIA TECHNO.（2） SAMSUNG ELEC.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Electronic device comprises porous graphene layer including graphene nanoribbon and electrically connecting two graphene electrodes.

KAERKKAEINEN A M, HAQUE S M, COLLI A, PASANEN P M, JOHANNES K L M, UUSITALO M A, LEHTINIEMI R K, KARKKAAINEN A M, HAQUE S, KARKKAINEN L M J, KARKKAINEN L, UUSITALO M, LEHTINIEMI R, KARKKAINEN L M Y, KAERKKAEINEN L M J

Creating layers of graphene, comprises implanting carbon atoms into a substrate at first temperature and lowering temperature of the substrate, so that the carbon atoms diffuse from substrate.

RAMAPPA D A, SULLIVAN P, RAMAPPA D

Graphene-coated separator used for fuel cell used for electric power system, has stainless steel substrate, buffer layer formed on side(s) of substrate and graphene layer coated on surface of buffer layer.

HYEONG LEE J, SIN HWANG Y, WON CHA S

Method for forming thin coating dielectric material on surface of carbon-based material e.g. graphene, involves forming ultra thin silicon nucleation layer of specific thickness on portion of surface of carbon-based material.

BABICH K, CALLEGARI A, CHEN Z, KIEWRA E, SUN Y

Processing of graphene sheet material during manufacture of electronic device, involves inactivating edge portion of graphene sheet material by irradiating material with ultraviolet light in atmosphere containing substance.

ASANO K

Method for providing electrical connection to portion of graphene layer used in e.g. microelectronic device, involves forming recess that create boundary between first portion of recess and second portion of recess.

HAQUE S, LEHTINIEMI R K, KARKKAINEN A M, LECHNER L, HAKONEN P, HAQUE S M, LEHTINIEMI R, KAERKKAEINEN A

Manufacture of graphene involves producing thermal plasma flame, producing carbon atom beam by adding air or liquid carbon source material into flame, producing beam with decreasing energy of carbon atom beam and crashing carbon atom beam.

SEO J, KIM J, JUNG S S, JU H K

Manufacture of graphene film used for manufacture of electronic device, involves contacting amorphous carbon film with metals chosen from gallium, indium, tin and antimony.

FUJITA JUNICHI, FUJITA J I, FUJITA J

Process for elaboration of graphene, useful e.g. in nanoelectronics, comprises depositing layer comprising amorphous carbon on substrate and annealing layer by photonic- and/or electronic-irradiation to obtain layer comprising graphene.

ZENASNI A, AJIJEU J

Preparation of graphene and amorphous carbon composite film involves chemical deposition by filling amount of pyridine to anoxic reactor, and separation and purification by etching copper substrate located at lower layer.

LI C, ZHU H, WEI J, WANG K, WU D, LI X