国家/地区 美国（61） 中国（38） 韩国（38） 世界知识产权组织（31） 日本（19） 台湾（16） 欧洲专利局（EPO）（13） 英国（6） 德国（2） 印度（2）
IPC部 C（100）
IPC大类 C23（100）
IPC小类 C23C（100） H01L（73） C01B（52）
B82Y（27） C30B（18） H01B（13）
H01M（12） B32B（10） H01G（10）
B01J（9） H01J（8） B05D（5）
H05K（4） C03C（3） C09K（3）
IPC C23C016/02（100）
发明人 SHIN H（10） SHIN H J（9） BYUN K（6）
BYUN K E（6） LEE C（6） LEE C S（6）
ELSAYED K A M（5） LEE E（5） MAAROUF A A（5）
SHIN K（5） SHIN K W（5） IFUKU R（4）
LI C（4） MATSUMOTO T（4） SHEN X（4）
公开年 2021（18） 2023（15） 2022（14） 2017（10） 2020（10） 2013（9） 2016（6） 2015（4） 2018（4） 2014（3） 2009（2） 2012（2） 2019（2）
申请年 2022（20）  2020（17）  2021（13）  2016（12）  2019（7）  2013（6）  2017（6）  2012（5）  2014（4）  2015（3）  2011（2）  2018（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（14） UNIV IMAM AB.（5） APPLIED MATE.（4） TOKYO ELECTR.（4）
UNIV IND AC.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV XIDIAN（3） BASF SE（2）
CORNING INC（2） HARBIN INST .（2） LAM RES CORP（2） PARAGRAF LTD（2）
UNIV CALIFOR.（2） US SEC OF NA.（2） ZING SEMICON.（2）

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Preparing gallium nitride nanowire/graphene composite material useful in sterilizing device, comprises providing substrate, forming layer of gold film on positive and negative surfaces of substrate, growing gallium nitride nanowire on substrate covered with gold film, and depositing graphene film.

LI J, FU Y, DAI Y, LIN C, WANG Z, LIN L, YANG Y, HU Y, XU Z, FU Z

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Normally-closed gallium nitride integrated device of large threshold voltage used in mobile phone, has sub-gate composed of gate layer connected through graphene film electrode to form series-parallel mixed double high frequency characteristics high electron mobility transistor integrated structure.

LUO M, CHENG T, WANG X, ZU Y, YU C

Film forming method involves loading substrate into processing container, forming interface layer having amorphous structure or microcrystalline structure on substrate by plasma of first mixed gas including carbon-containing gas and forming graphene film on interface layer.

NAKAMURA G, TERADA H, MATSUMOTO T, KABUKI N, WADA M, IFUKU R, NAKAMURA K, KAMURAGI N

Substrate processing apparatus for manufacturing semiconductor device, comprises substrate support to support multiple substrates such that substrates are on substrate support, chamber sidewall surrounding side surface of substrate support, and upper plate having plate portions on substrate support.

OH S, AN S, LEE J, JEONG G, JUNG K O, LEE J H, AHN S J, OH S R

Layer structure for use in integrated circuit device, comprises lower layer, ion implantation layer in lower layer, and carbon-based material layer on ion implantation layer, and ion implantation layer includes carbon, and further has high electrical performance with ultra small structure.

YOO M, BYUN K, KIM S, LEE C, LEE C S, BYUN K E, YOO M S