国家/地区 德国（41）
IPC部 C（41） H（25） B（19）
F（4） D（3） G（3）
IPC大类 C23（41）
IPC小类 C23C（40） C01B（24） B82Y（12）
H01L（12） B32B（10） H01B（9）
B05D（6） C23F（5） H01R（5）
H05K（5） B82B（4） C25D（4）
H01J（3） H01M（3） B22F（2）
IPC C23C016/26（20） B82Y030/00（11） B82Y040/00（11）
C01B031/04（11） C01B031/02（9） C01B032/186（9）
C23C016/455（8） C23C016/56（7） C23C026/00（7）
C01B032/182（6） C23C016/04（6） H01L021/02（6）
B32B009/00（5） C23C014/06（5） C23C016/44（5）
发明人 TEO K B K（5） SHIMIZU T（4） CONRAN B R（3）
JOUVRAY A（3） KUBO T（3） MCALEESE C（3）
THOMAS S（3） GUINEY I（2） KAWAI H（2）
KAWAI Y（2） LODERER D（2） MAAROUF A（2）
MARTENS R I（2） MARTYNA G J（2） MENTOVICH E（2）
公开年 2021（11） 2013（8） 2022（6） 2016（3） 2011（2） 2017（2） 2018（2）
申请年 2020（8）  2021（6）  2011（4）  2013（4）  2014（3）  2016（3）  2022（3）  2010（2）  2017（2） 
专利权人 AIXTRON SE（6） INT BUSINESS.（5） YAZAKI CORP（4） FRAUNHOFER G.（2）
KLUEBER LUBR.（2） MAAROUF A（2） MARTYNA G J（2） MELLANOX TEC.（2）
NAT INST ADV.（2） PARAGRAF LTD（2） TE CONNECTIV.（2） TYCO ELECTRO.（2）
UNIV BARILAN（2）

Device for producing graphene layer, has one electrode which is connected to positive pole of voltage source, and other electrode that is connected to negative pole and is provided for carbon ions accumulate in graphene attachment region so as to form graphene layer.

KREISCHER U

Repairing layers of laminate stack or printed circuit board, comprises providing layered structure, identifying fault location in outer graphene layer, preparing surface of outer graphene layer, and applying localized heat on fault location.

MENTOVICH E, ATIAS B, NAVEH D, LEVI A, SMOLINSKY E Z B

Mechanism for moving substrate carrier through chemical vapor deposition system, has moveable arm for operating in chamber including first pressure and temperature, and motor located outside chamber in environment including second pressure.

NAVEH D, STERN C, BENNAIM Y, ISMACH A, KAUFMAN T, BARRABI E, MENTOVICH E, ROTEM Y, GRIDISH Y

Producing graphene useful for electronic devices comprises forming graphene on non-metallic surface of substrate by chemical vapor deposition in reaction chamber and adding precursor in gas phase and suspended in gas into reaction chamber.

DIXON S, GRIFFITHS J, GRIFFIN R M, GUINEY I, THOMAS S

Multiple coated particles for metallic electrodes, comprises metal including copper, cobalt, ruthenium, nickel, palladium, iridium, platinum, an alloy based on any of these metals, and mixture of two metal-based alloys.

IHDE J, DEGENHARDT J, WUEBBEN T, REGULA C, WILKEN R, SHU S

Deposition of two-dimensional layers on substrate in process chamber, involves heating substrate, feeding reactive gas of carbon-containing chalcogenide, and adjusting substrate temperature, process chamber pressure, and partial pressure of reactive gas so that graphene is deposited as layer.

MCALEESE C, CONRAN B R, TEO K B K

Deposition of two-dimensional layer on substrate in process chamber of chemical vapor deposition reactor, involves feeding one or more reactive gases into a process chamber and depositing spaced apart crystalline regions on surface of substrate under specific process parameters.

MCALEESE C, CONRAN B R, TEO K B K

Method for production of atomic bilayer nanotape, involves oxidizing portion of monolayer to provide oxidized portion, and removing oxidized portion to provide atomic layer nanotape comprising transition metal dichalcogenide material.

HARUTYUNYAN A R, LI X

Anti-fouling coating for use in e.g. optical instrument, has coating layer formed on substrate, where coating layer is made of indium tin oxide, and dielectric layer formed between coating layer and substrate.

WILKEN R, SPECHT U, LUKASCZYK T

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A