国家/地区 世界知识产权组织（229）
IPC部 C（229）
IPC大类 C23（229）
IPC小类 C23C（229） C01B（183） H01L（89）
B82Y（64） B32B（49） B01J（28）
C30B（28） H01B（26） B05D（19）
H01M（15） B82B（12） C03C（11）
H01G（11） H05H（10） H01J（9）
IPC C23C016/26（229）
发明人 MATSUMOTO T（15） IFUKU R（11） HONG B H（7）
WANG Y（7） GUINEY I（6） KIM H（6）
THOMAS S（6） WADA M（6） DING G（5）
HONG B（5） KIM H K（5） LIU X（5）
SHARMA K（5） VARADARAJAN B N（5） XIE X（5）
公开年 2013（31） 2021（29） 2012（28） 2017（24） 2014（22） 2015（19） 2022（18） 2016（13） 2011（12） 2018（11） 2020（8） 2023（8） 2019（3） 2009（2）
申请年 2013（30）  2012（28）  2014（21）  2011（20）  2016（19）  2020（19）  2021（19）  2015（17）  2022（15）  2017（14）  2019（13）  2010（8）  2009（3）  2018（2） 
专利权人 TOKYO ELECTR.（18） APPLIED MATE.（7） HANWHA TECHW.（7） CORNING INC（6）
LAM RES CORP（6） PARAGRAF LTD（6） SAMSUNG TECH.（6） SHANGHAI INS.（5）
UNIV CALIFOR.（5） UNIV SINGAPO.（5） UNIV SUNGKYU.（5） CENT NAT REC.（4）
CHINESE ACAD.（4） EMPIRE TECHN.（4） GRAPHENE SQU.（4） KOREA ADV IN.（4）
KOREA ADVANC.（4） UNIV SUNGKYU.（4） AIXTRON SE（3） BASF SE（3）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Depositing nano-graphene comprises flowing hydrocarbon precursors into reaction chamber to adsorb onto metal layer of substrate at specific temperature, where metal layer interacts with adsorbed hydrocarbon precursor.

SHARMA K, VARADARAJAN B N

Method for processing semiconductor, involves material layer formed on portion of liner and metal-containing layer, where layer of material comprises graphene and portion of material layer on liner is removed.

MALLICK A B, SINGHA R S, GHOSH S, ROY S S

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing coated nano-ordered carbon particles used in anode within rechargeable battery including sodium-ion batteries and other metal-ion batteries, involve exposing carbon-containing material to expanding agent to produce expanded carbonaceous particles during expanding process.

ENTERKIN J A, WORFOLK B J, ZHANG L

Forming dual damascene structure on semiconductor substrate, involves selectively depositing carbon layer on exposed metal surface.

PARBATANI A, VAN SCHRAVENDIJK B J, VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SRINIVASAN E, SHARMA K, KNARR R, SCHMITZ S, RAMANAN V, NOGAMI T, NGUYEN S V, HUANG H, SHOBHA H K, LI J, PEETHELA C B, EDELSTEIN D C

Formation of graphene layer for semiconductor device, involves exposing substrate comprising conductive and dielectric materials to plasma to clean conductive material, and exposing substrate to another plasma to form graphene layer.

MEBARKI B, CHUA T C, VALENCIA C W, LEE J J, TANG X, CHEN X

Composite material comprises substrate and coating on substrate, where coating comprises diamond-like carbon and carbonaceous multi-layered nanoparticulate.

YANG L, NEVILLE A, BINTI NIK ROSELEY N R, BRITTAIN R N, LISKIEWICZ T W

Vacuum processing apparatus for removing oxidizing gas, comprises decompressable process container, supply port that is formed on side wall of process container and configured to supply, to process container, and apparatus also comprises ionic liquid that absorbs oxidizing gas.

HAYAKAWA T, UMESHITA N, AKIYAMA K, SEKIGUCHI K, ASAKO R, NAKANO T, ARYAL D, ROTONDARO A, IWASHITA M, IIZUKA Y, UEDA H

Film forming method by loading substrate into processing container, forming graphene film on substrate with plasma of process gas comprising carbon-containing gas, forming doped graphene film on substrate and/or graphene film with plasma of process gas comprising dopant gas.

YAMADA H, IFUKU R, MATSUMOTO T, KABUKI N