国家/地区 世界知识产权组织（217）
IPC部 C（217）
IPC大类 C23（217）
IPC小类 C23C（205） C01B（149） H01L（136）
B82Y（70） H01B（51） B32B（43）
H01M（36） B05D（23） C30B（23）
H01G（21） H05K（21） C23F（18）
B01J（17） C25D（13） H01J（13）
IPC C23C016/26（124） C01B031/04（74） C01B031/02（56）
B82Y040/00（55） B82Y030/00（54） H01L021/02（51）
C01B032/186（48） H01B001/04（35） C01B032/182（31）
C23C016/02（31） H01L029/16（30） C01B032/194（27）
H01L021/205（27） C23C016/44（23） C23C016/455（22）
发明人 MATSUMOTO T（11） IFUKU R（10） HONG B H（7）
KIM H K（7） WADA M（6） BAE S K（5）
GUINEY I（5） JANG B Z（5） KIM Y K（5）
OZYILMAZ B（5） TAKASHI M（5） THOMAS S（5）
ZHAMU A（5） BAE S（4） HUI H B（4）
公开年 2021（38） 2022（25） 2012（20） 2017（19） 2011（18） 2013（17） 2014（16） 2015（15） 2016（13） 2023（10） 2020（7） 2010（6） 2018（6） 2019（5） 2009（2）
申请年 2021（28）  2020（27）  2013（22）  2011（18）  2022（17）  2014（16）  2015（15）  2012（14）  2016（14）  2010（12）  2017（11）  2009（10）  2019（10）  2018（3） 
专利权人 TOKYO ELECTR.（13） APPLIED MATE.（7） UNIV SINGAPO.（7） GRAPHENE SQU.（6）
EMPIRE TECHN.（5） HANWHA TECHW.（5） LAM RES CORP（5） NANOTEK INST.（5）
PARAGRAF LTD（5） UNIV CALIFOR.（5） BASF SE（4） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） INT BUSINESS.（4） KOREA ELECTR.（4）
SAMSUNG TECH.（4） UNIV SUNGKYU.（4） CALIFORNIA I.（3） CORNING INC（3）

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

High temperature furnace tube for use in semiconductor process, has supporting plate distributed with multiple layers for supporting multiple substrates, where each substrate is placed on each layer of supporting plate.

WANG H, ZHANG S, SHEN H, LV C, ZHOU D, KIM J, PARK J S, WANG J, JIA S, ZHANG X, KIM Y

Material layer for, e.g. aero-engine applications, comprises porous synthesized carbon-containing composite materials, bonding layer, and hydraulically smooth surface interfacial layer comprising synthesized carbon-containing composite material(s).

STOWELL M, LANNING B

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Method for processing semiconductor, involves material layer formed on portion of liner and metal-containing layer, where layer of material comprises graphene and portion of material layer on liner is removed.

MALLICK A B, SINGHA R S, GHOSH S, ROY S S

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Producing coated nano-ordered carbon particles used in anode within rechargeable battery including sodium-ion batteries and other metal-ion batteries, involve exposing carbon-containing material to expanding agent to produce expanded carbonaceous particles during expanding process.

ENTERKIN J A, WORFOLK B J, ZHANG L

Forming dual damascene structure on semiconductor substrate, involves selectively depositing carbon layer on exposed metal surface.

PARBATANI A, VAN SCHRAVENDIJK B J, VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SRINIVASAN E, SHARMA K, KNARR R, SCHMITZ S, RAMANAN V, NOGAMI T, NGUYEN S V, HUANG H, SHOBHA H K, LI J, PEETHELA C B, EDELSTEIN D C

Formation of graphene layer for semiconductor device, involves exposing substrate comprising conductive and dielectric materials to plasma to clean conductive material, and exposing substrate to another plasma to form graphene layer.

MEBARKI B, CHUA T C, VALENCIA C W, LEE J J, TANG X, CHEN X

Device for producing graphene layer, has one electrode which is connected to positive pole of voltage source, and other electrode that is connected to negative pole and is provided for carbon ions accumulate in graphene attachment region so as to form graphene layer.

KREISCHER U