国家/地区 美国（34） 韩国（29） 中国（21） 世界知识产权组织（16） 欧洲专利局（EPO）（10） 日本（9） 台湾（9） 印度（4） 德国（3）
IPC部 C（62）
IPC大类 C01（62）
IPC小类 C01B（62）
IPC G03F007/20（26） C01B032/194（22） G03F001/62（18）
C01B031/04（17） C01B031/02（14） B82Y040/00（13）
C01B032/184（11） C01B032/186（11） G03F007/00（10）
B82Y030/00（9） G03F001/22（9） C01B032/182（8）
G03F007/004（8） G03F007/16（8） G03F001/64（7）
发明人 KIM H Y（5） MI K H（5） KIMHYUNGKEUN（4）
JOJINWOO（3） KIM H（3） KIM H K（3）
KIM H M（3） KIM K S（3） KIM S G（3）
KIM S K（3） LEE G H（3） LEE S Y（3）
SUNG C（3） CHO J W（2） CHO S J（2）
公开年 2022（14） 2021（8） 2013（6） 2017（6） 2023（5） 2012（4） 2014（4） 2016（4） 2018（4） 2015（2） 2020（2）
申请年 2020（9）  2021（8）  2022（8）  2016（7）  2012（6）  2013（5）  2017（5）  2011（3）  2019（3）  2010（2）  2014（2）  2015（2）  2023（2） 
专利权人 KOREA ELECTR.（6） SAMSUNG ELEC.（4） SUNG C（3） FINE SEMITEC.（2）
HANWHA TECHW.（2） SAMSUNG TECH.（2） SHINETSU CHE.（2） SHINETSU CHE.（2）
UNIV CALIFOR.（2）

Synthesisizing nickel-manganese-sulfur decorated reduced graphene oxide nanocomposite for ultra-fast photocatalytic degradation of organic dyes, involves adding manganese chloride tetrahydrate into stirring solution and treating homogeneous suspension with cetyltrimethyl ammonium bromide.

SASIPRABA T, GOVINDHASAMY M

Pellicle used for reticle for extreme-UV exposure, comprises pellicle film through which extreme-UV rays transmit and support frame for supporting pellicle film, where pellicle film comprises multilayer thin film structure.

KIM Y H, KIMYONGHWAN

Pellicle for use in lithography mask assembly for extreme ultraviolet lithography process in semiconductor manufacturing industry to optically transfer patterns onto a substrate, comprises membrane that includes silicon carbide nanostructures with silicon carbide nanotubes.

ONEILL J, HART A H C

Method for preparing graphene sub-nanoscale gap by feedback control electric breakdown, involves stopping voltage to apply to two ends of single-layer graphene nanoribbon when resistance of single-layer graphene nanoribbon reaches preset resistance to construct and obtain graphene sub-nanoscale gap.

SU M, HONG W, LIU J, ZHANG C, YUAN Z

Pellicle used for exposure to extreme UV rays, comprises substrate having opening formed in central portion, etch stop layer formed on substrate to cover opening, and nanoporous graphene layer in which nanopores are formed on graphene layer, provided on etch stop layer.

KIMHYUNGKEUN, MI K H, KIM S K, JOJINWOO, KIM H Y

Photoetching of erasable graphene involves photoetching oxidation graphene by laser processing, graphene, and performing oxygen plasma treatment to oxidized graphene after laser treatment.

GU M, ZHANG Q, CHEN X, LUAN H, WAN Z

Repairing layers of laminate stack or printed circuit board, comprises providing layered structure, identifying fault location in outer graphene layer, preparing surface of outer graphene layer, and applying localized heat on fault location.

MENTOVICH E, ATIAS B, NAVEH D, LEVI A, SMOLINSKY E Z B

Direct growth method of multilayer graphene through pressure heat treatment, comprises forming etch stop layer, forming metal catalyst layer, forming amorphous carbon layer and directly growing multilayer graphene on seed layer.

KIM H, KIM S K, MI K H, YOO C S, JOJINWOO, KIM H Y, JEONJUNHYUCK, YUNSUNGHO, SUNG K H, LEE S M

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S