国家/地区 美国（76） 中国（56） 世界知识产权组织（50） 韩国（49） 日本（35） 欧洲专利局（EPO）（26） 台湾（13） 英国（8） 新加坡（4） 澳大利亚（3） 法国（3） 印度（3） 加拿大（2） 德国（2）
IPC部 C（123）
IPC大类 C01（123）
IPC小类 C01B（123）
IPC C23C016/02（123）
发明人 SHIN H（8） MATSUMOTO T（7） SHIN H J（7）
NAGEL C J（6） BRODEUR C L（5） ELSAYED K A M（5）
LEE C（5） LEE C S（5） MAAROUF A A（5）
SHIN K（5） SHIN K W（5） BYUN K（4）
BYUN K E（4） IFUKU R（4） JIANG M（4）
公开年 2021（23） 2022（14） 2013（12） 2016（11） 2017（10） 2023（10） 2015（9） 2020（8） 2012（6） 2018（6） 2014（5） 2011（3） 2019（3） 2009（2）
申请年 2020（17）  2022（17）  2021（16）  2016（11）  2014（10）  2017（10）  2012（8）  2013（8）  2011（7）  2015（6）  2019（5）  2018（4）  2008（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（11） TOKYO ELECTR.（7） QUANTUM ELEM.（6） UNIV IMAM AB.（5）
SHANGHAI INS.（4） CHINESE ACAD.（3） PARAGRAF LTD（3） UNIV IND AC.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） UNIV XIDIAN（3） CENT NAT REC.（2） CHINESE ACAD.（2）
CORNING INC（2） DENG P（2） ECOLE POLYTE.（2） GUO H（2）
HEIQ MATERIA.（2） KOREA ELECTR.（2） LAM RES CORP（2） LEI T（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Film forming method involves loading substrate into processing container, forming interface layer having amorphous structure or microcrystalline structure on substrate by plasma of first mixed gas including carbon-containing gas and forming graphene film on interface layer.

NAKAMURA G, TERADA H, MATSUMOTO T, KABUKI N, WADA M, IFUKU R, NAKAMURA K, KAMURAGI N

Process for instantiating elemental metal within ultramicro pore of nanoporous carbon powder composition involves initiating gas flow in reactor assembly, reactor chamber containing nanoporous carbon powder, first porous frit, second porous frit, reactor head space, and computer processing unit.

BRODEUR C L, NAGEL C J

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Transparent electrode for solar cell, comprises transparent substrate and composite layer disposed on transparent substrate, where composite layer comprises graphene layer and set of nanoparticles, where nanoparticles are embedded in graphene layer and extend through thickness of graphene layer.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Preparing solar cell involves heating substrate deposited with nanoparticles, forming composite layer with graphene layer, cooling, disposing transparent substrate having quartz, glass and polymers such as polymethylmethacrylate, polystyrene, fabricating electrode, forming cathode and electrolyte.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S