国家/地区 韩国（92）
IPC部 C（92）
IPC大类 C01（92） H01（90） B82（28）
B01（14） C09（12） C23（11）
H05（10） C08（8） B32（5）
G01（5） C04（4） C12（3）
C25（3） A61（2） B05（2）
IPC小类 C01B（92）
IPC C01B031/04（78） C01B031/02（37） B82Y040/00（20）
C01B032/182（17） H01B001/04（17） H01M004/587（14）
B82Y030/00（13） C01B032/15（11） H01B013/00（11）
H01L029/16（11） H01M004/62（11） C01B032/18（10）
C01B032/194（10） H01M004/36（9） C01B032/184（8）
发明人 KIM H（4） KIM J（4） LEE J（4）
LEE Y T（4） JEON S（3） KIM J Y（3）
KIM S（3） KWON S G（3） LEE H（3）
LEE J S（3） LEE K（3） LEE K S（3）
LEE S（3） BYUN K（2） BYUN K E（2）
公开年 2015（44） 2016（26） 2014（22）
申请年 2014（92）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） UNIV SUNGKYU.（5） ELECTRONICS .（4） KOREA ADVANC.（4）
KOREA INST S.（4） LEE Y T（4） UNIV SEOUL N.（4） UNIV YONSEI .（4）
CORNING PREC.（3） LG CHEM CO L.（3） LG CHEM LTD（3） SAMSUNG CORN.（3）
BASF SE（2） BOEING CO（2） COUNCIL SCI .（2） HANWHA CHEM .（2）
POSTECH ACAD.（2） SEMICONDUCTO.（2） SNU R DB FO.（2） UNIV CHONBUK.（2）

Transistor has first insulation layer that surrounds graphene bending circuit, and source that is extended in graphene bending circuit and first wafer, and contacts that are extended to second insulation layer.

LEE Y T

Transistor useful as graphene single-electron transistor and electron tunneling graphene transistor for on/off electricity of electronic device i.e. central processing unit and memory comprises source electrode and insulating material layer.

LEE Y T

Manufacture of secondary battery cathode material involves preparing silicon colloidal solution using waste silicon sludge suspension, preparing mixture of silicon agglomerates, graphene oxide and dispersion medium, and heat-treating.

JANG H D, CHANG H, KIM H, ZHANG X, JIN H

Transferring graphene layer, comprises e.g. producing self-assembled monomolecular layer on first substrate, producing adhesive layer and supporting layer on monomolecular layer, and removing first substrate and monomolecular layer.

LIM J T, LEE H, LEE J I, CHU H Y, KWOM B H, MOON J, KIM J Y, YU B G, HAN J H

Crystalline solar cell has inner electrode which includes metal is electrically connected with photoelectric transform portion, and auxiliary electrode which includes graphene is electrically connected with inner electrode.

HONG W S

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device, involves forming protective layer on silicon carbide substrate into graphene, activating impurity, and removing protective layer.

KYEONG K C

Multifunctional film used in organic light emitting display apparatus, has metal nanoparticle which is arranged in defect exists between domains while graphene is segmented by domains.

JEONG Y B, KIM C H, CHO S H, LEE D C

LED comprises conductive layer which is formed at lower portion of n-layer and is connected to N-electrode and is reduced with graphene oxide.

RYU B D, HAN M, HAN N, HONG C H

Graphene (carbon nanotube, carbon nanotube graphene)-titanium dioxide nanotube composite solution prepared by e.g. adding graphene, carbon nanotube/carbon nanotube graphene in solvent e.g. water and stirring useful to produce e.g. substrate.

LEE Y S

Separating carbon structure including e.g. graphene and carbon nanotube deposited on seed structure, comprises e.g. providing carbon structure into processing chamber, heating carbon structure and seed structure, and supplying etching gas.

MATHARU J, THOMAS S, TEO K B K, JOUVRAY A, JOUBEUREI A, MATARU J, TOMASEU S