国家/地区 美国（53） 世界知识产权组织（44） 韩国（31） 中国（28） 日本（26） 欧洲专利局（EPO）（23） 台湾（14） 印度（7） 加拿大（6） 英国（5） 澳大利亚（4） 墨西哥（3） 俄罗斯（3） 德国（2） 法国（2）
IPC部 C（79）
IPC大类 C01（79）
IPC小类 C30B（79）
IPC C30B029/02（47） C01B031/04（32） B82Y040/00（28）
H01L021/02（23） B82Y030/00（22） C01B031/02（22）
C01B032/186（20） C23C016/26（20） C30B025/18（19）
H01L029/16（16） C30B029/64（13） C01B032/184（12）
C01B032/182（11） C01B032/194（11） C23C016/02（10）
发明人 JANG B Z（4） VEERASAMY V S（4） BERRY V（3）
DIXON S（3） GUINEY I（3） MIWA T（3）
MOMO J（3） NOMOTO K（3） SEACRIST M R（3）
VEERASAMY V（3） AHMED M（2） CHOI J Y（2）
GUO H（2） HE X（2） IACOPI F（2）
公开年 2013（12） 2021（12） 2022（8） 2014（7） 2017（7） 2011（6） 2015（5） 2016（5） 2023（4） 2009（3） 2012（3） 2020（3） 2018（2）
申请年 2021（11）  2012（10）  2020（8）  2013（7）  2016（7）  2022（6）  2009（5）  2011（5）  2014（5）  2015（4）  2017（4）  2010（2）  2019（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（4） NANOTEK INST.（4） GLOBAL GRAPH.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） NAMIKI SEIMI.（3） PARAGRAF LTD（3） SEMICONDUCTO.（3）
SUNEDISON SE.（3） UNIV KANSAS .（3） KELBER J（2） MAX PLANCK G.（2）
MEMC ELECTRO.（2） SAMSUNG ELEC.（2） SAMSUNG TECH.（2） TOKYO ELECTR.（2）
UNIV GRIFFIT.（2） UNIV NORTH T.（2） UNIV SYDNEY .（2） ZHANG Y（2）

Preparing single crystal high-nickel cobalt-free material comprises e.g. mixing single crystal high-nickel cobalt-free precursor with lithium source, carrying out calcination, and mixing second single crystal high nickel cobalt free calcined material with graphene oxide solution.

LI C, YU H, XIE Y, LI A

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Ionic plastic crystal used in electrochemical cell, supercapacitor, and solid electrolyte composition for electrochemical cell, comprises delocalized anion paired with cation derived from organic guanidine, amidine or phosphazene superbase.

DAIGLE J, BARRAY F, GUERFI A, FLEUTOT B, GARITTE E, KRACHKOVSKIY S, KOH K S

Film formation method involves forming metal film on silicon-containing film of substrate, forming a graphene film on metal film, where metal film is silicided by heating metal film, and continuously performing film forming process.

UEDA H, WADA M, ZHEN